FNK10N25SC|MOSFET多项技术
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK10N25SC | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TSSOP8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子目前的产品（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。
MOSFET参数说明：
箱体：TSSOP-8封装
终端：信息每焊MIL-STD-750,
方法2026
高温焊接保证：
在码头250°C/10秒
安装位置：任意
重量：0.5g
MOSFET特点
●先进沟道工艺技术
●高密度电池设计超低
导通电阻
●专为锂离子电池组使用
●专为电池开关应用
MOSFET的概述
从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。
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FNK10N25SC|MOS管TSSOP-8封装
信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 MOS管参数说明： 箱体：TSSOP-8封装 终端：信息每焊MIL-STD-750, 方法2026 高温焊接保证： 在码头250°C/10秒 安装位置：任意 重量：0.5g MOS管特点 ●先进沟道工艺技术 ●高密度电池设计超低 导通电阻 ●专为锂离子电池组使用 ●专为电池开关应用 MOS管的简介 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片。而P沟道常见的为低压Mos管。
FNK10N25SC|场效应管专为锂离子电池组使用
信息内容：乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 场效应管参数说明： 箱体：TSSOP-8封装 终端：信息每焊MIL-STD-750, 方法2026 高温焊接保证： 在码头250°C/10秒 安装位置：任意 重量：0.5g 场效应管特点 ●先进沟道工艺技术 ●高密度电池设计超低 导通电阻 ●专为锂离子电池组使用 ●专为电池开关应用 场效应管特点 （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
