乾野电子目前的产品(20V-250V)大功率Trench-MOS 器件、(500V-650V)SJ-MOS器件、普通高压MOS器件(600V)已量产与销售, 并取得国内和国际的多项技术。
FNK2302的产品说明
MOS管FNK2302采用先进沟道技术,提供优良的Rds(on),低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护,或在其他的开关中的应用。
一般特点
◆VDS =20V)ID=4.0A的Rds(on)的<38 MO@ VGS=2.5V的Rds(on)的<32 MO@ VGS= 4.5V
◆高功率和电流移交能力
◆无铅产品被收购
◆表面贴装封装
应用
◆电池保护
◆负荷开关
◆电源管理
低频噪声系数NF
乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势,专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作,通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制,确保大批量生产中,产品的持续优质和稳定供货;同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通,使产品性能的利用达到化和化。 FNK2302的产品说明 MOS管FNK2302采用先进沟道技术,提供优良的Rds(on),低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护,或在其他的开关中的应用。 一般特点 ◆VDS =20V)ID=4.0A的Rds(on)的<38 MO@ VGS=2.5V的Rds(on)的<32 MO@ VGS= 4.5V ◆高功率和电流移交能力 ◆无铅产品被收购 ◆表面贴装封装 应用 ◆电池保护 ◆负荷开关 ◆电源管理 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大...
乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 FNK2302的产品说明 MOS管FNK2302采用先进沟道技术,提供优良的Rds(on),低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护,或在其他的开关中的应用。 一般特点 ◆VDS =20V)ID=4.0A的Rds(on)的<38 MO@ VGS=2.5V的Rds(on)的<32 MO@ VGS= 4.5V ◆高功率和电流移交能力 ◆无铅产品被收购 ◆表面贴装封装 应用 ◆电池保护 ◆负荷开关 ◆电源管理 无标示管的判别 首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下场效应管两个脚为栅极G1和第二栅极G2.把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S.用这种方法判别出来的S、D极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是S极,两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D...