场效应管 MOSFET-N沟道 SSM3K7002BFS 丝印NM sot523小型封装 模拟开关
| 价 格： | 0.12 | |
| 型号/规格： | SSM3K7002BFS | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-523 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特征： | 小功率 | |
| 源漏极电压Vds： | 60V | |
| 栅源极电压Vgs(±)： | 20V | |
| 漏极电流Id： | 200mA | |
| 源漏极导通电阻Rds： | 1.62Ω @500mA,10V | |
| 开启电压Vgs（th）： | 1.5-3.1V | |
| 耗散功率Pd： | 0.15W |
友情提示：由于我司产品各类型产品型号较多，无法一一列出，客户朋友可上我司网站查询或直接电联我司业务人员
dzsc/19/4076/19407624.jpg【产品展示图】
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dzsc/19/4076/19407624.jpg【产品参数】
| 型号 | 丝印 | 厂家 | 一级分类 | 二级分类 | 三级分类 | 源漏极电压Vds | 栅源极电压Vgs(±) | 漏极电流Id | 源漏极导通电阻Ωds | 开启电压Vgs（th） | 耗散功率Pd | 封装Package/Case |
| SSM3K7002BFS | NM | TOSHIBA | 场效应管 | MOSFET-N沟道 | 60V | 20V | 200mA | 1.62Ω @500mA,10V | 1.5-3.1V | 150mW | SOT-523 |
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dzsc/19/4076/19407624.jpg【品质保证】
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我司有工程师和技术人员，可根据客户的需求，为客户提供的技术支持，如元器件丝印(Marking)的查询、同类元器件的替换和电路板上未知的元器件认定，可根据客户的设计要求选定参数、性能最匹配的元器件,同时可根据客户提供的丝印、标记、打字、代码反查询产品型号等等。
爱瑞凯电子科技有限公司是一家电子元器件供应商和经销商，公司成立至今,本着“诚信为本，互惠互利”的双赢原则，广拓渠道，与各品牌公司建立了良好的合作关系，获得好的价格优势，为本公司的发展奠定了坚实的基础，本着“品质为本”的销售理念，在同行业贸易商和生产商中留下良好的口碑—“在爱瑞凯买的就是放心”。
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N沟道MOS场效应管 RHP020N06 标记LR 大电流2A 高速开关 宽soa sot89
信息内容：友情提示：由于我司产品各类型产品型号较多，无法一一列出，客户朋友可上我司官方网站查询或直接电联我司业务人员 dzsc/19/4076/19407678.jpg【产品展示图】 ----------------------------------------------------------------------------------------------------- dzsc/19/4076/19407678.jpg【产品参数】 型号 丝印 厂家 一级分类 二级分类 三级分类 源漏极电压Vds 栅源极电压Vgs(±) 漏极电流Id 源漏极导通电阻Ωds 开启电压Vgs（th） 耗散功率Pd 封装Package/Case RHP020N06 LR ROHM 场效应管 MOSFET-N沟道 60v 20v 2000mA 0.2Ω @20000mA,10V ...
N沟道增强型MOS场效应管 SSM3K15F DP 低导通电阻 高速开关、模拟开关应用 sot923封装
信息内容：友情提示：由于我司产品各类型产品型号较多，无法一一列出，客户朋友可上我司官方网站查询或直接电联我司业务人员 dzsc/19/4077/19407706.jpg【产品展示图】 ----------------------------------------------------------------------------------------------------- dzsc/19/4077/19407706.jpg【产品参数】 型号 丝印 厂家 一级分类 二级分类 三级分类 源漏极电压Vds 栅源极电压Vgs(±) 漏极电流Id 源漏极导通电阻Ωds 开启电压Vgs（th） 耗散功率Pd 封装Package/Case SSM3K15F DP TOSHIBA 场效应管 MOSFET-N沟道 30V 20V 100mA 2.2Ω @10000mA,4V ...
