供应mos管MOSFETFNK4435

价格：		面议
型号/规格：		FNK4435
品牌/商标：		FNK
封装形式：		SOP-8
环保类别：		无铅环保型
安装方式：		贴片式
包装方式：		卷带编带包装
功率特征：		小功率

详细介绍
企业详情

惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH）成立于2003 年。

从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。

目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售，并取得国内和国际的多项技术。

公司是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。

公司在中国大陆（上海、惠州等）、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司。

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　　MOS管的主要参数
　　1.开启电压VT
　　·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
　　·标准的N沟道MOS管，VT约为3~6V;
　　·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2~3V.
　　2. 直流输入电阻RGS
　　·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
　　·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
　　·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
　　3. 漏源击穿电压BVDS
　　·在VGS=0（增强型）的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
　　·ID剧增的原因有下列两个方面：
　　（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
　　（2）漏源极间的穿通击穿
　　·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID
　　4. 栅源击穿电压BVGS
　　·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS.
　　5. 低频跨导gm
　　·在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
　　·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
　　·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
　　·一般在十分之几至几mA/V的范围内

惠州市乾野电子有限公司

公司信息未核实

所属城市：广东惠州
[联系时请说明来自维库仪器仪表网]
联系人： 吉先生
电话：0752-7777240
传真：0752-7777695
手机：13380690588
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信息内容：

惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH）成立于2003 年。从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售，并取得国内和国际的多项技术。公司是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。公司在中国大陆（上海、惠州等）、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司。 dzsc/19/4069/19406986.jpg dzsc/19/4069/19406986.jpg 　　MOS管的主要参数　　1.开启电压VT 　　·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；　　·标准的N沟道MOS管，VT约为3~6V; 　　·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2~3V. 　　2. 直流输入电阻RGS 　　·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比　...

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