硅N沟道结型场效应管 2SK1875-BL 代码RBL 高频放大器应用 音频放大器应用 sot323
| 价 格： | 1.00 | |
| 型号/规格： | 2SK1875-BL | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-323 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特征： | 小功率 | |
| 漏极电流Id： | 32mA | |
| 耗散功率Pd： | 0.1W |
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dzsc/19/4069/19406957.jpg【产品展示图】
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dzsc/19/4069/19406957.jpg【产品参数】
| 型号 | 丝印 | 厂家 | 一级分类 | 二级分类 | 三级分类 | 源漏极电压Vds | 栅源极电压Vgs(±) | 漏极电流Id | 源漏极导通电阻Rds | 开启电压Vgs（th） | 耗散功率Pd | 封装Package/Case |
| 2SK1875-BL | RBL | TOSHIBA | 场效应管 | MOSFET-N沟道 | 32mA | 100mW | SOT-323 |
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dzsc/19/4069/19406957.jpg【交易说明】
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dzsc/19/4069/19406957.jpg【品质保证】
我司郑重承诺所售产品均为全新原装；
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dzsc/19/4069/19406957.jpg【竭诚服务】
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爱瑞凯电子科技有限公司是一家电子元器件供应商和经销商，公司成立至今,本着“诚信为本，互惠互利”的双赢原则，广拓渠道，与各品牌公司建立了良好的合作关系，获得好的价格优势，为本公司的发展奠定了坚实的基础，本着“品质为本”的销售理念，在同行业贸易商和生产商中留下良好的口碑—“在爱瑞凯买的就是放心”。
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2.5V低电压驱动N沟道MOS管 2SK3018 代码KN 便携式设备应用 sot323 驱动电路简单
信息内容：友情提示：由于我司产品各类型产品型号较多，无法一一列出，客户朋友可上我司官方网站查询或直接电联我司业务人员 dzsc/19/4069/19406979.jpg【产品展示图】 ----------------------------------------------------------------------------------------------------- dzsc/19/4069/19406979.jpg【产品参数】 型号 丝印 厂家 一级分类 二级分类 三级分类 源漏极电压Vds 栅源极电压Vgs(±) 漏极电流Id 源漏极导通电阻Rds 开启电压Vgs（th） 耗散功率Pd 封装Package/Case 2SK3018 KN ROHM 场效应管 MOSFET-N沟道 30V 20V 100mA 5R @10mA,4V ...
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信息内容：友情提示：由于我司产品各类型产品型号较多，无法一一列出，客户朋友可上我司官方网站查询或直接电联我司业务人员 dzsc/19/4069/19406983.jpg【产品展示图】 ----------------------------------------------------------------------------------------------------- dzsc/19/4069/19406983.jpg【产品参数】 型号 丝印 厂家 一级分类 二级分类 三级分类 源漏极电压Vds 栅源极电压Vgs(±) 漏极电流Id 源漏极导通电阻Rds 开启电压Vgs（th） 耗散功率Pd 封装Package/Case 2SK3272-01S-TE24R SK3272 FUJI 场效应管 MOSFET-N沟道 60V 30V/-20V 8000mA 0.0...
