供应西门子变频器模块FF200R12KT3
| 价 格： | 440.00 | |
| 型号/规格： | FF200R12KT3 | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） |
深圳市嘉林电子有限公司供应销售英飞凌元件及模块，有以下类型产品销售：IGBT模块、IGBT单管、场效应管、IPM、MOSFET、驱动电路。
供应英飞凌infineon(EUPEC)IGBT模块和单管,深圳市嘉林电子有限公司热供产品，优价销售：
全新原装
经销EUPEC(优派克)
Infineon(英飞凌)、
型号:FF200R12KT3
厂家:infineon英飞凌
批号: 14+
数量：600
封装:IGBT
技术参数：200A1200V
产品性能：可使用在高频开关，高频炉，中频炉，焊机 变频器，感应加热，电源上的等
FUJI(富士)、
MITSUBISHI(三菱)、SANREX(三社)、
产功率模块IGBT、
IPM、PIM、整流桥、可控硅;
CONCEPT(瑞士)驱动板;
日本谏早IDC驱动模块;EACO电容；吸收电容;
长期供应：
FF200R12KT3
200A/1200V/2单元
制造商：Infineon
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Single
集电极—发射极电压 VCEO：1200 V
集电极—射极饱和电压：3.2 V
在25 C的连续集电极电流：500 A
栅极—射极漏泄电流：400 nA
功率耗散：2900 W
工作温度：+ 125 C
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人：
- 电话：0755-82429076
- 传真：0755-25981289
- 手机：13501564255
- QQ ：
供应西门子变频器模块FF150R12KT3G
信息内容：全新原装 经销EUPEC(优派克) Infineon(英飞凌)、 型号:FF150R12KT3G 厂家:infineon英飞凌 批号: 14+ 数量：600 封装:IGBT 技术参数：150A1200V 产品性能：可使用在高频开关，高频炉，中频炉，焊机 变频器，感应加热，电源上的等 FUJI(富士)、 MITSUBISHI(三菱)、SANREX(三社)、 产功率模块IGBT、 IPM、PIM、整流桥、可控硅; CONCEPT(瑞士)驱动板; 日本谏早IDC驱动模块;EACO电容；吸收电容; 长期供应： FF150R12KT3G 150A/1200V/2单元 制造商：Infineon 产品：IGBT Silicon Modules 配置：Single 集电极—发射极电压 VCEO：1200 V 集电极—射极饱和电压：3.2 V 在25 C的连续集电极电流：500 A 栅极—射极漏泄电流：400 nA 功率耗散：2900 W 工作温度：+ 125 C
供应西门子变频器模块FF200R17KE3
信息内容：FF200R17KE3绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管.它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用. FF200R17KE3在中大功率的开关电源装置中,IGBT由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点,已逐步取代晶闸管或GTO.但是在开关电源装置中,由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下,使得它容易损坏,另外,电源作为系统的前级,由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大,故IGBT的可靠性直接关系到电源的可靠性.因而,在选择IGBT时除了要作降额考虑外,对IGBT的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节. FF200R17KE3是英飞凌IGBT半导体模块代表性的元器件之一，目前主要用在变频器，开关电源上面的居多。
