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P沟道增强型MOS场效应管 MOSFET UPA650TT-E1 丝印WD 低通态电阻 漏极电流5A sot363

价 格: 0.42
型号/规格:UPA650TT-E1
品牌/商标:NEC
封装形式:SOT-363
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:卷带编带包装
功率特征:小功率
源漏极电压Vds:-12V
栅源极电压Vgs(±):8V
漏极电流Id:5A
源漏极导通电阻Rds:0.040R @负2500mA,负4.5V
开启电压Vgs(th):负0.45-负1.5V
耗散功率Pd:0.2W

友情提示:由于我司产品各类型产品型号较多,无法一一列出,客户朋友可上我司网站查询或直接电联我司业务人员

dzsc/19/4062/19406268.jpg【产品展示图】



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dzsc/19/4062/19406268.jpg【产品参数】

型号 丝印 厂家 一级分类 二级分类 三级分类 源漏极电压Vds 栅源极电压Vgs(±) 漏极电流Id 源漏极导通电阻Rds 开启电压Vgs(th) 耗散功率Pd 封装Package/Case
UPA650TT-E1 WD NEC 场效应管 MOSFET-P沟道 负12V 8V 5000mA 0.040R @负2500mA,负4.5V 负0.45-负1.5V 200mW S0T-363

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4.款到发货;


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dzsc/19/4062/19406268.jpg【品质保证】


我司郑重承诺所售产品均为全新原装


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dzsc/19/4062/19406268.jpg【竭诚服务】


我司有工程师和技术人员,可根据客户的需求,为客户提供的技术支持,如元器件丝印(Marking)的查询、同类元器件的替换和电路板上未知的元器件认定,可根据客户的设计要求选定参数、性能最匹配的元器件,同时可根据客户提供的丝印、标记、打字、代码反查询产品型号等等。

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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 曾先生
  • 电话:0755-88609018
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