一、管型的判别 一般,管型是NPN还是PNP应从管壳上标注的型号来辨别。依照部分标准,三极管型号的第二位(字母),A、C表示PNP管,B、D表示NPN管(A、B表示锗管(Ge),C、D表示硅管(Si)),例如: 3AX 为PNP型低频小功率管(Ge) 3BX 为NPN型低频小功率管(Ge) 3CG 为PNP型高频小功率管(Si) 3DG 为NPN型高频小功率管(Si) 3AD 为PNP型低频大功率管(Ge) 3DD 为NPN型低频大功率管(Si) 3CA 为PNP型高频大功率管(Si) 3DA 为NPN型高频大功率三级管(Si) 此外有国际流行的9011~9018系列高频小功率管,除9012和9015为PNP管外,其余均为NPN型管。 二、 管极的判别 常用中小功率三极管有金属圆壳和塑料封装(半柱型)等外型。
NPN三极管放大时管子内部的工作原理: 1、发射区向基区发射电子(形成发射极电流) 发射结施加正向电压且掺杂浓度高,所以发射区多数自由电子越过发射结扩散到基区,发射区的自由电子由直流电源补充,从而形成了发射极电流。(同时,基区的多数载流子也会扩散到发射区,成为发射极电流的一部分。由于基区很薄,且掺杂浓度较低,因此由基区多数空穴形成的电流可以忽略不计。) 2、自由电子在基区和空穴复合,形成基区电流,并继续向集电区扩散 自由电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合(基区中的空穴由直流电源补充),扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 3、集电区收集自由电子,形成集电极电流 由于集电结加反向电压且面积很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,...
1999年5月1日,西门子半导体公司正式更名为Infineon,总部设在德国慕尼黑。主要生产汽车和工业电子芯片、保密及IC卡应用IC、通讯多媒体芯片、存储器件等。1998年Infineon公司是全球十大半导体制造商之一。该公司在全球亚、欧、美三大洲5个国家拥有10个制造工厂,在九个国家设有16个研发中心,1998年员工约25,000人,主要合作伙伴有Motorola、IBM、MoselVitelic等。 据权威机构07芯片生产排行,infineon公司排在Intel、SAMSUNG、TI、ST之后,为全球第五大芯片生产商。 其总部在德国的慕尼黑,企业文化: never stop thinking. 在中国苏州投资成立奇梦达,主要生产内存条,并允许北京瑞田达公司代理其电子产品。 英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier(股票代码:IFNNY)挂牌上市。