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供应村田(Murata)贴片电容 1210 103K 10NF 10% 630V 无极性 高伏

价 格: 面议
型号/规格:1210 103K 630V
品牌/商标:MURATA(村田)
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:卷带编带包装
产品主要用途:普通/民用电子信息产品
引出线类型:无引出线
特征:片状型
标称容量范围:0.01
额定电压范围:630
温度系数范围:100

另一个作用是去除导致EMI(Electro-Magnetic Interference,电磁干扰)的噪声成分。也就是滤波器作用。通过利用电容器高频阻抗较低这一特点,使高频噪声成分到达电源/接地层。

一般而言,前一种作用被称为去耦电容器,后一种作用被称为旁路电容器。而大容量片状独石陶瓷电容器则可同时承担这两种作用。

继去耦及旁路之后,用途较多的是配备在DC-DC转换器的输出部分用作平滑滤波器。原来该用途广泛使用的是铝电解电容器及钽电解电容器。但是,业内为使电子设备实现小型化和薄型化,从20世纪90年代下半期开始使用片状独石陶瓷电容器。

片状独石陶瓷电容器之所以得以在该用途中应用,电源半导体厂商的努力功不可没。用作平滑滤波器的电容器构成了DC-DC转换器中反馈控制环路的一个部分。因此,等效串联阻抗(ESR:Equivalent Series Resistance)过小的话,控制环路的相位余量就会变小,容易发生DC-DC转换器无法稳定工作的问题。

而另一方面,电子设备厂商又对DC-DC转换器实现小型薄型化有着强烈的需求。因此,电源半导体厂商通过改进DC-DC转换器IC的控制电路,使得使用片状独石陶瓷电容器成为现实。从2000年起,电源半导体厂商开始以能够使用片状独石陶瓷电容器为卖点,向电子设备厂商推销DC-DC转换器 IC。

现在,仅去耦和平滑滤波器用途就已占到片状独石陶瓷电容器市场份额的约7成。此外,用量较大的用途是高频滤波器用途、阻抗匹配用途以及温度补偿用途等。

深圳市富斯特威电子有限公司
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信息内容:

之后的片状独石陶瓷电容器的历史也许可以用“小型化和大容量化的历史”来概括。通常电容器的静电容量C可用 C=εS/d 来表示。其中,ε为介电率,S为电极面积,d为电极间距离(介电体的厚度)。也就是说,要想在固定体积下增加静电容量的话,只有采用ε值高的材料,或者减薄介电体。 在介电体材料方面,虽然在产品化的初期采用的是氧化钛,但在较早阶段就已导入钛酸钡(BaTiO3)。之后,通过进一步改进该材料,介电率得到不断提高,目前已达到3000左右。这一数值要比氧化钛仅为几十水平的介电率大两位数。 从介电体的厚度来看,推出之初为50μm,之后逐渐减薄,目前仅为0.5μm。也就是说,与推出之初相比,介电率提高了100倍,厚度减少至 1/100。厚度减至1/100的话,便可将层叠数增多100倍。因此,从静电容量来看,在相同体积条件下相当于增加到了100万倍。而反过来从体积来看,就意味着在相同静电容量条件下可实现1/100万倍的小型化。 去耦用途占到市场份额的7成 如上所述,片状独石陶瓷电容器被广泛用于配备在微处理器、DSP、MCU及FPGA等半导体器件的周围电路,以使这些半导体器件能够正常工作。配备的个数(总数)非常多。比...

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信息内容:

电阻器、电容器、电感器。这些被公认为较平常的无源部件,实际上却是最电子设备不可或缺的部分。尤其对最的半导体器件而言,片状独石陶瓷电容器更是极为重要的。可以说,没有片状独石陶瓷电容器的话,就无法正常地运作。在电子行业曾一度有观点认为“电容器迟早会被半导体器件所取代”。而实际上,片状独石陶瓷电容器与半导体器件的进化相同步,其重要性也愈发增强。 片状独石陶瓷电容器的尺寸比砂糖粒还要小。对于这一微小部件在电子设备中所起到的作用,大家知道多少呢。片状独石陶瓷电容器担负着为半导体器件提供电力供应的支持,消除导致误操作及性能下降的噪声等等重要的职责。而且,以最微细加工技术制造的微处理器、DSP、MCU及FPGA等半导体器件,如果没有片状独石陶瓷电容器的话也无法正常工作。 小型化和大容量化的历史 dzsc/19/3979/19397912.jpg 图1:片状独石陶瓷电容器的构造 通过反复层叠介电体层和内部电极,实现大静电容量。 目前,片状独石陶瓷电容器的市场规模在铝电解电容器、钽电解电容器及薄膜电容器等各种电容器中。2008年日本国内供货量为6278亿个,日本国内供货金额达到3059亿日元(数字取自日本经济产业...

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