特点 | PhotoMOS的高功能保持不变,可进行功率控制的输出接口用Photo MOS |
封装 | SIL4 |
端子形状 | Through Hole |
包装方式 | Tube packing |
连续负载电流 | 0.5A |
负载电压 | 400 V |
导通电阻(平均) | 2.1 ohm |
输出端子间容量(平均) | 600 pF |
国外标准 | UL, C-UL |
触点构成 | 1a |
耐电压 | 2500V AC |
导通电阻() | 3.2 ohm |
开路状态漏电流() | 10μA |
允许LED电流 | 50mA |
LED反向电压 | 5V |
正向电流 | 1A |
部允许损耗 | 75mW |
动作LED电流(平均) | 1mA |
动作LED电流() | 3mA |
复位LED电流(最小) | 0.4mA |
复位LED电流(平均) | 0.9mA |
LED压降() | 1.5V |
动作时间(平均) | 1.65ms |
复位时间(平均) | 0.08ms |
全部允许损耗 | 1.6W |
使用环境温度 | -40℃~+85℃ |
保存温度 | -40℃~+100℃ |
输入/输出间端子容量(平均) | 0.8pF |
输入/输出间端子容量() | 1.5pF |
输入/输出绝缘电阻(最小) | 1000 M ohm |
推荐动作条件(输入LED电流) | 5-10mA |
RoHS:是 负载电压:60 V 负载电流:0.55A 控制电流:5mA 通态压降:1.25V 正向电流:1A 功耗:75mW 耐电压:1500V AC 导通电阻:0.83 ohm 触点构成:1a 动作时间:0.65ms 复位时间:0.08ms 输出端电容:80 pF 认证:UL, C-UL 温度:-40℃~+85℃ 封装:DIP-6 产品概述 规格详细 项目 内容 订货产品号 AQV212 特点 高性能和高可靠性的Photo MOS,同时还具备很好的经济性! 封装 DIP6 端子形状 Through Hole 包装方式 Tube packing 连续负载电流 0.55A 负载电压 60 V 导通电阻(平均) 0.83 ohm 输出端子间容量(平均) 80 pF ...
产品简介 RoHS:是 负载电压:100 V 负载电流:0.32A 控制电流:5mA 通态压降:1.25V 正向电流:1A 功耗:75mW 耐电压:1500V AC 导通电阻:2.3 ohm 触点构成:1a 动作时间:0.6ms 复位时间:0.06ms 输出端电容:110 pF 认证:UL, C-UL 温度:-40℃~+85℃ 封装:DIP-6 产品概述 规格详细 项目 内容 订货产品号 AQV215 特点 高性能和高可靠性的Photo MOS,同时还具备很好的经济性! 封装 DIP6 端子形状 Through Hole 包装方式 Tube packing 连续负载电流 0.32A 负载电压 100 V 导通电阻(平均) 2.3 ohm 输出端子间容量(平均) ...