②正向电压降vF:半导体整流二极管通过额定工向整流电流时,在极间产生的电压降。
③反向工作电压vR:指在使用时所允许加的反向电压。由于整流二极管一旦反向击穿,就会产生很大的反向电流,因此在使用中不允许超过此值。
④反向漏电流IR:半导体整流二极管在正弦波反同工作电压下的漏电流。
⑤击穿电压VR:半导体整流二极管反问为硬特性时,击穿电压为反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值;如果为
整流二极管一般为平面型硅二极管,用电源整流电路中。
选用整流二极管时,主要应考虑其整流电流、反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。
软特性时,则击穿电压为给定的反向漏电流下的电压值。dzsc/19/3952/19395282.jpg