②正向电压降vF:半导体整流二极管通过额定工向整流电流时,在极间产生的电压降。
③反向工作电压vR:指在使用时所允许加的反向电压。由于整流二极管一旦反向击穿,就会产生很大的反向电流,因此在使用中不允许超过此值。
④反向漏电流IR:半导体整流二极管在正弦波反同工作电压下的漏电流。
⑤击穿电压VR:半导体整流二极管反问为硬特性时,击穿电压为反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值;如果为
整流二极管一般为平面型硅二极管,用电源整流电路中。
选用整流二极管时,主要应考虑其整流电流、反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。
软特性时,则击穿电压为给定的反向漏电流下的电压值。dzsc/19/3952/19395282.jpg
本公司主要经营金封螺丝型二极管/可控硅/KBPC桥堆/硅桥//TO-92三极管/13001三极管/TO-126三极管/SOT-227B场效应/整流管/平板可控硅/固态继电器/电子传感器和各种金封镙旋型(STUD PACKAGE),进口整流二极管,肖特二极管,稳压管二极管,快速可控硅:(DO-4 DO-5 DO-8 DO-9 DO-30 TO-64 TO-60 TO-63 TO-48 TO-65 TO-94 TO-83 TO-93 TO-200AA TO-200AB TO-200AC TO-200AD 等封装。。。。)等电子元器件,型号齐全。长期备有大量现货。
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