代理TDK贴片电容1812 225K 2.2UF 100V 250K 10% 无极性
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 4532 225K 100V | |
| 品牌/商标： | TDK | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 产品主要用途： | 普通/民用电子信息产品 | |
| 引出线类型： | 无引出线 | |
| 特征： | 长方型 | |
| 标称容量范围： | 2.2uf | |
| 额定电压范围： | 100-250 | |
| 温度系数范围： | 125℃ |
本产品经消费者无数次的消费验证 电容器是几乎所有电气设备上都会用到的主要器件。漏阻是电容器被测试的众多电气特征中的一个。漏阻通常被称为“IR”（Insulation Resistance，绝缘电阻），以“兆欧－微法”表示。在其它情况下，漏泄可能被表示为特定电压（通常为工作电压）下的漏泄电流。
电容器的漏泄是通过向电容施加一个固定电压，并测量产生的电流测得的。漏流将随时间呈指数衰减，因此在测量电流之前，施加电压必须达到一个已知的时间周期（保压时间）。
出于统计目的，必须测试一定数量的电容器来生成有用的数据。为了进行测试，就需要一套自动切换系统。
图 1所示为一套电容器漏泄测试系统，它采用了Keithley 6517A型静电计/源、7158型小电流扫描卡和C型开关卡，例如7111-S或7169A。插卡被安装在7002型开关主机中。
图 1，电容器漏泄测试系统
在该测试系统中，一组开关（7111-S型或7169A型）被用来向每个电容器施加测试电压。在常闭位置，电容器的一端被连接到电路LO。当开关触动时，电容器被连接到电压源。开关通常是交错触动的（例如，间隔2秒），从而在测量漏泄之前，每个电容器均可被充电相同的时间周期。若测试电压为110 V或更低，则可使用7111-S型开关卡；否则，则可使用7169A型开关卡测试高达500 V的电压。如果必须施加高于500 V的电压，则应该使用具有相应额定值的开关。
第二组开关（7158型）在经过合适的平稳时间后将每个电容器连接到皮安计。请注意，在电容器被切换至皮安计之前，它是被连接到电路LO的。这样就使得漏流在其充电器件亦可连续流通。
对于这种应用，单台仪器提供了电压源和小电流测量功能。6517A型可显示电阻或漏流，并可提供高达1000 VDC的电压，所以特别适合这一应用。
在测试过电容器之后，电压源应该被设置为零。有时候在将电容从测试夹具上拆除之前，必须使其放电。注意，图 1中的电容（C）通过继电器的常闭触点形成了放电通路。测试序列同步如下：
静态——7169A型继电器为常闭，7158型继电器为常闭。
施加电压（保压时间）——7169A型继电器连接至常开触点，7158型继电器仍然保持常闭。
测量电流——7169A型继电器仍保持在常开位置，7158型继电器连接至常开触点。
放电电容器——7169A型继电器连接至常闭触点，7158型继电器连接至常闭触点。
由于7169A型C型开关卡上的隔离开关在测量电流期间保持被激励状态，所有来自开关卡的任何偏移电流都与测量是无关的。
与电容器串联的电阻器（R）是本测试系统中的一个重要元件。它限制每个电容器的充电电流，并在电容器发生短路时保护继电器。此外，该电阻器还限制回馈安培表的交流增益。一般而言，当源电容增大时，噪声增益也会增大。该电阻器将增益限制为有限值。合理的限值是使RC时间常数为0.5～2秒。与静电计（pA）的HI端子串联的正偏二极管也起到限制交流增益的作用。
一个“同轴三柱－BNC”转换器（7078-TRX-BNC型）被用于将6517A连接到7158型开关卡。电容器通过低噪声同轴电缆连接到7158型开关卡。可使用绝缘线将7111-S开关卡连接到电容器。7169A型是通过接线头连接器进行连接。
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信息内容：【例】C2012 X7R 1H 102 K T 0000 （1） （2） （3） （4） （5） （6） (7) 说明： （1）类别： 类 别 尺 寸 （单位：mm） TDK(EIA代码) 额定电压 L W T C1005（CC0402） 1H，1E，1C，1A 1．00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 C1608(CC0603) 1H，1E，1C，1A 1.6±0.1 0.8±0.1 ...
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信息内容：贴片电容模型 射频陶瓷贴片电容的外形示意图如图1所示。 dzsc/19/3941/19394134.jpg 其等效模型如图2所示。 dzsc/19/3941/19394134.jpg 其中,C为电容,L为电极等效串联电感,R为电极和介质交流漏电阻的等效串联值,这样,一个射频电容的阻抗Z为: dzsc/19/3941/19394134.jpg 测试夹具 本实验使用特性阻抗Zc为50Ω的共面波导作为测试夹具,将待测电容横跨接在共面波导的内外金属条带之间,其横截面图如图3所示。并接在共面波导上的被测电容构成的双端口网络如图4所示。 dzsc/19/3941/19394134.jpg 计算与结果 网络分析仪测量并结合一定的校准方法(TRL)可算出电容的散射参数S21o由微波网络理论可知: dzsc/19/3941/19394134.jpg 取Z的虚部(电抗)X,运用实验数据处理中的最小二乘法并由(1)式知,X的拟合模型为?L-1/?C。通过一系列频点?i的测试计算数据Xi(i=1,2,.,n),寻找的参数L和C使得: dzsc/19/3941/19394134.jpg 现对5个标称值已知的片式电容在300M～3000MHz的频率范围内测量,所得数据与生产厂家给出的电容标称值进行比较,如表1所示。 dzsc/19/3941/19394134...
