M7二极管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | M7 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | DO-214AC | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
整流二极管的特性参数
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①额定整流电流IF:在规定的使用条件下，在电阻性负载的正弦半波整流电路中，允许连续通过半导体二极管的工作电流。一些大电流整流二极管要求使用散热片，它的，F指的是带有规定散热片的条件下的数值。
②正向电压降vF:半导体整流二极管通过额定工向整流电流时，在极间产生的电压降。
③反向工作电压vR:指在使用时所允许加的反向电压。由于整流二极管一旦反向击穿，就会产生很大的反向电流，因此在使用中不允许超过此值。
④反向漏电流IR:半导体整流二极管在正弦波反同工作电压下的漏电流。
⑤击穿电压VR:半导体整流二极管反问为硬特性时，击穿电压为反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值;如果为软特性时，则击穿电压为给定的反向漏电流下的电压值。
⑥结温TJM:半导体整流二极管在规定的使用条件下，所允许的温度。
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1N5822肖特基二极管
信息内容：肖特基二极管优点 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。 肖特基二极管的封装及外形 肖特基二极管的封装采用TO-220.TO-3P封装形式和表面封装形式。 在TO-220封装形式中，据其内部结构又可分为单管...
FR104二极管
信息内容：整流桥具有体积小,使用方便等特点,在家用电器和工业电子电路中应用 非常广泛.常用的小功率整流桥有全桥和半桥之分.全桥是将四只硅整流 二极管接成桥路的形式, 常见的型号有 QL52~QL61 系列,PM104M 和 BR300 系列等.半桥有三种结构:一种是将两只二极 管顺向串联,在结点处引出一电极(如 2CQ1 型),另一 种是将两只二极管背靠背式反极性连接(称共阴式,如 2CQ2 型);第三种是将两只二极管头碰头式反极性连接(称共阳式,如 2CQ3 型). 整流桥在强迫风冷冷却时壳温的确定由以上两种情况三种不同散热冷却形式的分析与计算，我们可以得出：在整流桥自然冷却时，我们可以直接采用生产厂家所提供的结--环境热阻（Rja），来计算整流桥的结温，从而可以方便地检验我们的设计是否达到功率元器件的温度降额标准；对整流桥采用不带散热器的强迫风冷情况，由于在实际使用中很少采用，在此不予太多的讨论。如果在应用中的确涉及该种情形，可以借鉴整流桥自然冷却的计算方法；对整流桥采用散热器进行冷却时，我们只能参考厂家给我们提供的结--壳热阻（Rjc），通过测量整流桥的壳温从而推算出其结温，达到检验目的。在此，我们着重讨论该计算壳温测量点的选取及其相关的计算方法，并提出一种在...
