供应MOSFET HFP10N60U 韩国semiHow
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 10N60 | |
| 品牌/商标： | semiHow | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特征： | 大功率 |
semiHow介绍 ：
SemiHow是以在先进半导体技术和中国奠定的高品质生产为基础,以中国企业坚实的 Partnership为武器, 与 Partner一起用其他企业无法抗衡的竞争力, 扩大中国市场的 Market企业.
dzsc/19/3909/19390901.jpg
dzsc/19/3909/19390901.jpgdzsc/19/3909/19390901.jpg
RUSON介绍：
上海陆深实业发展有限公司（原上海陆深电子元件厂）于2001年成立，是设计、生产、销售于一体的电子元器件生产企业。 我公司从2004年起，开始引进集成电路分销业务：产品涵盖：PHILIPS；ST；TOSHIBA；SAMSUNG；ATMEL；MAXIM；DALLAS；MICROCHIP；ALTERA等知名品牌。 广泛应用于民用，工业，通讯，网络，仪器仪表，电脑，家电方面（电视机，显示器，音响功放，多媒体家庭影院，VCD，DVD解码，收录机，MP3，MP4）手机ＩＣ等产品。
主营：单片机、LED驱动IC、贴片阻容、二三级管等。
- 所属城市：上海 上海市
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 刘先生
- 电话：021-31001104
- 传真：021-39254202
- 手机：18962647589/18939928448
- QQ ：
MOSFET HFP10N60U 特价推荐
信息内容：产品型号:HFP10N60S 概述 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):10 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):208 输入电容Ciss(PF):1320 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：15 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):580 导通延迟时间Td(on)(ns):28 typ. 上升时间Tr(ns):66 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):76 typ. 下降时间Tf(ns):64 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,10A N-沟道增强型场效应晶体管
MOSFET HFP12N60S 韩国semiHow 特价供应
信息内容：semiHow介绍 ： SemiHow是以在先进半导体技术和中国奠定的高品质生产为基础,以中国企业坚实的 Partnership为武器, 与 Partner一起用其他企业无法抗衡的竞争力, 扩大中国市场的 Market企业. semiHow HFP12N60S相关产品规格：dzsc/19/4203/19420324.jpg dzsc/19/4203/19420324.jpgdzsc/19/4203/19420324.jpgdzsc/19/4203/19420324.jpgRUSON介绍： 上海陆深实业发展有限公司（原上海陆深电子元件厂）于2001年成立，是设计、生产、销售于一体的电子元器件生产企业。 我公司从2004年起，开始引进集成电路分销业务：产品涵盖：PHILIPS；ST；TOSHIBA；SAMSUNG；ATMEL；MAXIM；DALLAS；MICROCHIP；ALTERA等知名品牌。 广泛应用于民用，工业，通讯，网络，仪器仪表，电脑，家电方面（电视机，显示器，音响功放，多媒体家庭影院，VCD，DVD解码，收录机，MP3，MP4）手机ＩＣ等产品。 主营：单片机、LED驱动IC、贴片阻容、二三级管等。
