8051单片机|生产51单片机
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 8051 | |
| 品牌/商标： | FNK |
乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。
| 参数 | |||
| 规格 | FNK9988(H87F041) | FNK9987(H87F021) | FNK9986(H87F020) |
| CPU核 | 1T 8051 | 1T 8051 | 1T 8051 |
| ROM | 4KB Flash ROM (2万次擦写次数)，支持ISP在线烧写 | 2KB Flash ROM (2万次擦写次数)，支持ISP在线烧写 | 1KB Flash ROM (2万次擦写次数)，支持ISP在线烧写 |
| SRAM | 256Byte | 256Byte | 256Byte |
| 定时/计数器 | 2*16（TC0、TC1），可编程设定分频系数 | 2*16（TC0、TC1），可编程设定分频系数 | 2*16（TC0、TC1），可编程设定分频系数 |
| PWM | 5*8位PWM TSSOP20支持5路PWM：P2.3、P2.4、P0.5、P0.6与P0.7。SOP14/DIP14支持2路PWM：P2.3、P2.4 | 5*8位PWM P2.3、P2.4、P1.2、P1.3与P1.4 | 5*8位PWM P2.3、P2.4、P1.2、P1.3与P1.4 |
| ADC | (8+1)*12位ADC：8路外部模拟信号输入，1路内部电源检测，DIP14/SOP14封装仅支持5路外部模拟信号输入。 5种参考电压选择，外部为P1.0管脚，内部参考电压可设定，对应VDD、4V、3V与2V | (5+1)*12位ADC：5路外部模拟信号输入，1路内部电源检测。 5种参考电压选择，外部为P1.0管脚，内部参考电压可设定，对应VDD、4V、3V与2V | —— |
| 输入输出双向口 | P0、P1、P2，包括与复位脚(RST)共用的P0.4 | P0、P1、P2，包括与复位脚(RST)共用的P0.4 | P0、P1、P2，包括与复位脚(RST)共用的P0.4 |
| 单向输入引脚 | P0.4，与复位引脚共用 | P0.4，与复位引脚共用 | P0.4，与复位引脚共用 |
| 内置上拉电阻口 | 支持P0、P1、P2 | 支持P0、P1、P2 | 支持P0、P1、P2 |
| 低压检测系统（LVD） | 支持16级低压检测 | 支持16级低压检测 | 支持16级低压检测 |
| 中断源 | 6个（INT0、INT1、TC0、TC1、ADC、PWM） | 6个（INT0、INT1、TC0、TC1、ADC、PWM） | 5个（INT0、INT1、TC0、TC1、PWM） |
| 外部晶振频率 | 0-24MHz | 0-24MHz | 0-24MHz |
| 内部RC振荡频率 | 16MHz±2% | 16MHz±2% | 16MHz±2% |
| 工作电压 | 2.0~5.5V | 2.0~5.5V | 2.0~5.5V |
| 封装 | DIP14/SOP14/TSSOP20 | DIP14/SOP14 | DIP14/SOP14 |
| 注：H87F0X系列芯片其他主要特征还包括： | |||
| 1. P2.3 P2.4两个PWM IO端口的上电复位后缺省状态为高阻，与常规8051单片机端口上电后缺省状态不同，但可由软件设定为准双向、高阻、漏极开路与推挽输出四种中的一种； | |||
| 2. 超低功耗设计，Powerdown模式下功耗~1uA。 | |||
现在在家用电器的更新、市场开拓等方面，单片机的应用越来越广泛，比如电子玩具或者的电视游戏机中，会应用单片机实现其控制功能；而洗衣机可以利用单片机识别衣服的种类与脏污程度，从而自动选择洗涤强度与洗涤时间；在冰箱冷柜中采用单片机控制可以识别食物的种类与保鲜程度，实现冷藏温度与冷藏时间的自动选择；微波炉也可以通过单片机识别食物种类从而自动确定加热温度与加热时间等等，这些家用电器在应用单片机技术后，无论是性能还是功能，与传统技术相比均有长足的进步。
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供应场效应管FNK9928
信息内容：场效应管FNK9928 dzsc/19/3894/19389435.jpg dzsc/19/3894/19389435.jpg 场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
供应场效应管FNK2310
信息内容：惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年。 从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。 dzsc/19/3908/19390815.jpg dzsc/19/3908/19390815.jpg 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7～10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
