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600V高压MOSFET|生产批发MOS管600V

价 格: 面议
型号/规格:600V
品牌/商标:FNK
封装形式:全系列
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:盒带编带包装

  乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势,专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作,通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制,确保大批量生产中,产品的持续优质和稳定供货;同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通,使产品性能的利用达到化和化。

 

  • 产品参数
  • Product Major INormation   VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ)
    N/P
    Voltage
    Product Name Assembly BVDSS
    Min(V)
    ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ Max Typ Max
    600V MOS系列 FNK2N60AL TO-220 600 2 54 30 3   4300        
    FNK2N60BL TO-220F 600 2 54 30 3   4300        
    FNK2N60CT TO-251 600 1.9 44 30 3   4300        
    FNK2N60DT TO-252 600 1.9 44 30 3   4300        
    FNK4N60AL TO-220 600 4.4 106 30 3   2800        
    FNK4N60BL TO-220F 600 4.4 33 30 3   2800        
    FNK4N60DL TO-252 600 3.9 50 30 3   2800        
    FNK4N60CL TO-251 600 3.9 50 30 3   2800        
    FNK4N65AL TO-220 600 4 106 30 3   3000        
    FNK4N65BL TO-220F 600 4 34 30 3   3000        
    FNK8N60AL TO-220 600 7.5 50 30 3   1500        
    FNK10N60AL TO-220 600 9.5 156 30 3   870        

     

      Power MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点:击穿电压可达1200V,集电极饱和电流已超过1500A.由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz.

    惠州市乾野电子有限公司
    公司信息未核实
    • 所属城市:广东 惠州
    • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
    • 联系人: 吉先生
    • 电话:0752-7777240
    • 传真:0752-7777695
    • 手机:13380690588
    • QQ :QQ:2868227183QQ:283893409
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    单片机品牌|乾野电子FNK

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    乾野电子主营范围:超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。   单片机的产品参数 规格 FNK9988(H87F041) FNK9987(H87F021) FNK9986(H87F020) CPU核 1T 8051 1T 8051 1T 8051 ROM 4KB Flash ROM (2万次擦写次数),支持ISP在线烧写 2KB Flash ROM (2万次擦写次数),支持ISP在线烧写 1KB Flash ROM (2万次擦写次数),支持ISP在线烧写 SRAM 256Byte 256Byte 256Byte 定时/计数器 2*16(TC0、TC1),可编程设定分频系数 2*16(TC0、TC1),可编程设定分频系数 2*16(TC0、TC1),可编程设定分频系数 PWM 5*8位PWM TSSOP20支持5路PWM:P2.3、P2.4、P0.5、P0.6与P0.7。SOP14/DIP14支持2路PWM:P2.3、P2.4 5*8位PWM P2.3、P2.4、...

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