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高压mosfet电路|MOS管现货

价 格: 面议
型号/规格:600V
品牌/商标:FNK
封装形式:全系列
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:盒带编带包装

  乾野电子目前的产品(20V-250V)大功率Trench-MOS 器件、(500V-650V)SJ-MOS器件、普通高压MOS器件(600V)已量产与销售, 并取得国内和国际的多项技术。

 

  • 产品参数
  • Product Major INormation   VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ)
    N/P
    Voltage
    Product Name Assembly BVDSS
    Min(V)
    ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ Max Typ Max
    600V MOS系列 FNK2N60AL TO-220 600 2 54 30 3   4300        
    FNK2N60BL TO-220F 600 2 54 30 3   4300        
    FNK2N60CT TO-251 600 1.9 44 30 3   4300        
    FNK2N60DT TO-252 600 1.9 44 30 3   4300        
    FNK4N60AL TO-220 600 4.4 106 30 3   2800        
    FNK4N60BL TO-220F 600 4.4 33 30 3   2800        
    FNK4N60DL TO-252 600 3.9 50 30 3   2800        
    FNK4N60CL TO-251 600 3.9 50 30 3   2800        
    FNK4N65AL TO-220 600 4 106 30 3   3000        
    FNK4N65BL TO-220F 600 4 34 30 3   3000        
    FNK8N60AL TO-220 600 7.5 50 30 3   1500        
    FNK10N60AL TO-220 600 9.5 156 30 3   870        

     

      MOS管的主要参数
      1.开启电压VT
      ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;
      ·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;
      ·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V.
      2. 直流输入电阻RGS
      ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
      ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
      ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
      3. 漏源击穿电压BVDS
      ·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

    惠州市乾野电子有限公司
    公司信息未核实
    • 所属城市:广东 惠州
    • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
    • 联系人: 吉先生
    • 电话:0752-7777240
    • 传真:0752-7777695
    • 手机:13380690588
    • QQ :QQ:2868227183QQ:283893409
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