乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
Product Major INormation | VTH | Ron(10V)(mΩ) | Ron(4.5V) (mΩ) | Ron(2.5V) (mΩ) | |||||||||
N/P Voltage |
Product Name | Assembly |
BVDSS Min(V) |
ID(A)25℃ | PW (W)25℃ | Vgs(V) | Typ | Typ | Max | Typ | Max | Typ | Max |
600V MOS系列 | FNK2N60AL | TO-220 | 600 | 2 | 54 | 30 | 3 | 4300 | |||||
FNK2N60BL | TO-220F | 600 | 2 | 54 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
FNK2N60CT | TO-251 | 600 | 1.9 | 44 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
FNK2N60DT | TO-252 | 600 | 1.9 | 44 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
FNK4N60AL | TO-220 | 600 | 4.4 | 106 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
FNK4N60BL | TO-220F | 600 | 4.4 | 33 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
FNK4N60DL | TO-252 | 600 | 3.9 | 50 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
FNK4N60CL | TO-251 | 600 | 3.9 | 50 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
FNK4N65AL | TO-220 | 600 | 4 | 106 | 30 | 3 | 3000 | ||||||
FNK4N65BL | TO-220F | 600 | 4 | 34 | 30 | 3 | 3000 | ||||||
FNK8N60AL | TO-220 | 600 | 7.5 | 50 | 30 | 3 | 1500 | ||||||
FNK10N60AL | TO-220 | 600 | 9.5 | 156 | 30 | 3 | 870 |
数位科技的进步,如微处理器运算效能不断提升,带给深入研发新一代MOSFET更多的动力,这也使得MOSFET本身的操作速度越来越快,几乎成为各种半导体主动元件中最快的一种。MOSFET在数位讯号处理上最主要的成功来自CMOS逻辑电路的发明,这种结构的好处是理论上不会有静态的功率损耗,只有在逻辑门(logic gate)的切换动作时才有电流通过。CMOS逻辑门最基本的成员是CMOS反相器(inverter),而所有CMOS逻辑门的基本操作都如同反相器一样,同一时间内必定只有一种晶体管(NMOS或是PMOS)处在导通的状态下,另一种必定是截止状态,这使得从电源端到接地端不会有直接导通的路径,大量节省了电流或功率的消耗,也降低了积体电路的发热量。
乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ ...
乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ ...