让卖家找上门
发布询价>>
您所在的位置:仪器仪表网> 电子元器件>高压mosfet批发商|现货原装

高压mosfet批发商|现货原装

价 格: 面议
型号/规格:600V
品牌/商标:FNK
封装形式:全系列
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:盒带编带包装

  乾野电子主营范围:超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。

 

  • 产品参数
  • Product Major INormation   VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ)
    N/P
    Voltage
    Product Name Assembly BVDSS
    Min(V)
    ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ Max Typ Max
    600V MOS系列 FNK2N60AL TO-220 600 2 54 30 3   4300        
    FNK2N60BL TO-220F 600 2 54 30 3   4300        
    FNK2N60CT TO-251 600 1.9 44 30 3   4300        
    FNK2N60DT TO-252 600 1.9 44 30 3   4300        
    FNK4N60AL TO-220 600 4.4 106 30 3   2800        
    FNK4N60BL TO-220F 600 4.4 33 30 3   2800        
    FNK4N60DL TO-252 600 3.9 50 30 3   2800        
    FNK4N60CL TO-251 600 3.9 50 30 3   2800        
    FNK4N65AL TO-220 600 4 106 30 3   3000        
    FNK4N65BL TO-220F 600 4 34 30 3   3000        
    FNK8N60AL TO-220 600 7.5 50 30 3   1500        
    FNK10N60AL TO-220 600 9.5 156 30 3   870        

     

      金属-氧化层-半导体结构MOSFET在结构上以一个金属-氧化层-半导体的电容为核心(如前所述,今日的MOSFET多半以多晶硅取代金属作为其栅极材料),氧化层的材料多半是二氧化硅,其下是作为基极的硅,而其上则是作为栅极的多晶硅。这样子的结构正好等于一个电容器(capacitor),氧化层扮演电容器中介电质(dielectric material)的角色,而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数(dielectric constant)来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。

    惠州市乾野电子有限公司
    公司信息未核实
    • 所属城市:广东 惠州
    • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
    • 联系人: 吉先生
    • 电话:0752-7777240
    • 传真:0752-7777695
    • 手机:13380690588
    • QQ :QQ:2868227183QQ:283893409
    公司相关产品

    高压mosfet批发|价格合理

    信息内容:

    乾野电子主营范围:超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ Max ...

    详细内容>>

    高压mosfet工厂|原包装

    信息内容:

    乾野电子主营范围:超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ Max ...

    详细内容>>

    相关产品