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中低压mosfet模块|MOS管现货

价 格: 面议
型号/规格:FNK4007PS
品牌/商标:FNK
封装形式:SOP-8
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:卷带编带包装

  乾野电子主营范围:超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。

 

  MOSFET的参数介绍

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

-55

V

Gate-Source Voltage

VGS

±20

V

Drain Current-Continuous

ID

-30

A

Drain Current-Continuous(TC=100)

ID (100)

-21

A

Pulsed Drain Current

IDM

110

A

Maximum Power Dissipation

PD

90

W

Derating factor

 

0.72

W/

Single pulse avalanche energy (Note 5)

EAS

420

mJ

 

Parameter

Symbol

Condition

Min

Typ

Max

Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS=0V ID=-250μA

-55

-

-

V

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=-55V,VGS=0V

-

-

1

μA

Gate-Body Leakage Current

IGSS

VGS=±20V,VDS=0V

-

-

±100

nA

On Characteristics (Note 3)

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS,ID=-250μA

-2

-3

-4

V

Drain-Source On-State Resistance

RDS(ON)

VGS=-10V, ID=-15A

-

30

40

Forward Transconductance

gFS

VDS=-25V,ID=-16A

8

-

-

S

Dynamic Characteristics (Note4)

 

  在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。

惠州市乾野电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 惠州
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 吉先生
  • 电话:0752-7777240
  • 传真:0752-7777695
  • 手机:13380690588
  • QQ :QQ:2868227183QQ:283893409
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