标准包装:1,000 类别:分离式半导体产品 家庭:FET - 单 FET 特点:标准型FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:11A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:500 毫欧 @ 6.6A,10V Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs:44nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1200pF @ 25V 功率 - :125W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商设备封装:TO-220 包装:管件
标准包装:1,000 类别:分离式半导体产品 家庭:FET - 单 FET 特点:标准型FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 漏极至源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.6A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:850 毫欧 @ 2.8A,10V Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs:67nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1300pF @ 25V 功率 - :40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片 包装:管件