晶振详情
总频差: 10(MHz)
温度频差: 10(MHz)
输出阻抗: 0(kΩ)
调整频差: 10(MHz)
基准温度: -20-75(℃)
激励电平: 1-100(mW)
插入损耗: 0(dB)
负载谐振电阻: 4(Ω)
标称频率: 11.0592-60(MHz)
种类: 晶振
加工定制: 是
负载电容: 8-20(pF)
输入阻抗: 0(kΩ)
型号: SMD-3225
阻带衰减: 0(dB)
品牌:GZX
谐振振荡器包括石英(或其晶体材料)晶体谐振器,陶瓷谐振器,LC谐振器等。
晶振与谐振振荡器有其共同的交集有源晶体谐振振荡器。
石英晶片所以能做振荡电路(谐振)是基于它的压电效应,从物理学中知道,若在晶片的两个极板间加一电场,会使晶体产生机械变形;反之,若在极板间施加机械力,又会在相应的方向上产生电场,这种现象称为压电效应。如在极板间所加的是交变电压,就会产生机械变形振动,同时机械变形振动又会产生交变电场。一般来说,这种机械振动的振幅是比较小的,其振动频率则是很稳定的。但当外加交变电压的频率与晶片的固有频率(决定于晶片的尺寸)相等时,机械振动的幅度将急剧增加,这种现象称为压电谐振,因此石英晶体又称为石英晶体谐振器。
其特点是频率稳定度很高。
加工定制:是 品牌:港中兴贴片晶振 型号:5032贴片晶振 种类:晶振 标称频率:12.000000(MHz) 调整频差:20ppm(MHz) 温度频差:30ppm(MHz) 总频差:00000(MHz) 负载电容:20(pF) 负载谐振电阻:80(Ω) 激励电平:10(mW) 基准温度:25(℃) 插入损耗:00(dB) 阻带衰减:00(dB) 输入阻抗:00(kΩ) 输出阻抗:00(kΩ) 晶振器的精度要比分立RC振荡器高,多数情况下能够提供与陶瓷谐振槽路相当的精度。 选择振荡器时还需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比,可以表示为功率耗散电容值。比如,HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时,相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容,整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容,相应地也需要更多的电流。相比之下,晶振模块一般需要电源电流为10mA ~60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能,范围可以从低频(固定)器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器,如MAX7375,工作在4MHz时只需不...
SMD3225产品详细参数: 频率范围:12 ~ 54 MHz 频率公差(25℃)± 10ppm± 30 ppm, or specify 在工作温度范围内的频率稳定度:± 10ppm± 30 ppm, or specify 工作温度范围:- 20 ~ +70 oC, or specify 并联电容(C0):7 pF Max. 驱动级:1~200μW(100μW typical) 负载电容:Series, 8 pF, 12 pF, 15 pF, 20pF, or specify 老化(25℃):± 3 ppm / year Max. 储存温度范围:- 40 ~ + 85 oC 晶振是单片机系统里的一个部分,全称为晶体震荡器。 晶振结合单片机内部的电路,产生单片机所必须的时钟频率,为单片机指令的执行提供了基础。 晶振的提供的时钟频率越高,单片机的运行速度也就越快。 晶振用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作,以提供稳定、精确的单频振荡。在通常工作条件下,普通的晶振频率精度可达百万分之五十。有些晶振还可以由外加电压在一定范围内调整频率,称为压控振荡器(VCO)。 晶振的作用是为系统提供基本的时钟信号。通常一个系统共用一个晶振,以便于各部分保持同步。有些通讯系统的基频和射频使用不同的晶振,而通过电子调整频率的方法保持同步。晶振通常与锁相环电路配合使用,以提供...