超结mosfet开关电路，大量批发超结mos管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 600-650V | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | 全系列 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
| Product Major INormation | VTH | Ron(10V)(mΩ) | Ron(4.5V) (mΩ) | Ron(2.5V) (mΩ) | |||||||||
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N/P Voltage |
Product Name | Assembly |
BVDSS Min(V) |
ID(A)25℃ | PW (W)25℃ | Vgs(V) | Typ | Typ | Max | Typ | Max | Typ | Max |
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500V SJ-MOS N系列 |
FNKS08N50AL | TO-220 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | ||||
| FNKS08N50BL | TO-220F | 500 | 7.8 | 32 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N50CL | TO-251 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N50DL | TO-252 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N50EL | TO-263 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS11N50AL | TO-220 | 500 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N50BL | TO-220F | 500 | 11 | 33 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N50EL | TO-263 | 500 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N50FL | TO-247 | 500 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS20N50AL | TO-220 | 500 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N50BL | TO-220F | 500 | 20 | 34.5 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N50FL | TO-247 | 500 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
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600V SJ-MOS N系列 |
FNKS08N60AL | TO-220 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | ||||
| FNKS08N60BL | TO-220F | 600 | 7.8 | 32 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N60CL | TO-251 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N60DL | TO-252 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N60EL | TO-263 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS11N60AL | TO-220 | 600 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N60BL | TO-220F | 600 | 11 | 33 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N60EL | TO-263 | 600 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N60FL | TO-247 | 600 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS20N60AL | TO-220 | 600 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N60BL | TO-220F | 600 | 20 | 34.5 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N60FL | TO-247 | 600 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS21N60AL | TO-220 | 600 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
| FNKS21N60BL | TO-220F | 600 | 21 | 34 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
| FNKS21N60FL | TO-247 | 600 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
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650V SJ-MOS N系列 |
FNKS08N65AL | TO-220 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | ||||
| FNKS08N65BL | TO-220F | 650 | 7.8 | 32 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N65CL | TO-251 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N65DL | TO-252 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N65EL | TO-263 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS11N65AL | TO-220 | 650 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N65BL | TO-220F | 650 | 11 | 33 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N65EL | TO-263 | 650 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N65FL | TO-247 | 650 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS20N65AL | TO-220 | 650 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N65BL | TO-220F | 650 | 20 | 34.5 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N65FL | TO-247 | 650 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS21N65AL | TO-220 | 650 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
| FNKS21N65BL | TO-220F | 650 | 21 | 34 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
| FNKS21N65FL | TO-247 | 650 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
场效应管的工作原理
场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID".更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS（off），此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
- 所属城市：广东 惠州
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- 联系人： 吉先生
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超结mosfet作用，工厂生产超结mos管批发
信息内容：乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。 产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ ...
超结mosfet应用，原装超结mosfet应用批发
信息内容：乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ Max ...
