超结mosfet工作原理，大量批发超结mos管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 600-650V | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | 全系列 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
乾野电子目前的产品（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。
| Product Major INormation | VTH | Ron(10V)(mΩ) | Ron(4.5V) (mΩ) | Ron(2.5V) (mΩ) | |||||||||
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N/P Voltage |
Product Name | Assembly |
BVDSS Min(V) |
ID(A)25℃ | PW (W)25℃ | Vgs(V) | Typ | Typ | Max | Typ | Max | Typ | Max |
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500V SJ-MOS N系列 |
FNKS08N50AL | TO-220 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | ||||
| FNKS08N50BL | TO-220F | 500 | 7.8 | 32 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N50CL | TO-251 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N50DL | TO-252 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N50EL | TO-263 | 500 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS11N50AL | TO-220 | 500 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N50BL | TO-220F | 500 | 11 | 33 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N50EL | TO-263 | 500 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N50FL | TO-247 | 500 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS20N50AL | TO-220 | 500 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N50BL | TO-220F | 500 | 20 | 34.5 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N50FL | TO-247 | 500 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
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600V SJ-MOS N系列 |
FNKS08N60AL | TO-220 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | ||||
| FNKS08N60BL | TO-220F | 600 | 7.8 | 32 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N60CL | TO-251 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N60DL | TO-252 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N60EL | TO-263 | 600 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS11N60AL | TO-220 | 600 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N60BL | TO-220F | 600 | 11 | 33 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N60EL | TO-263 | 600 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N60FL | TO-247 | 600 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS20N60AL | TO-220 | 600 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N60BL | TO-220F | 600 | 20 | 34.5 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N60FL | TO-247 | 600 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS21N60AL | TO-220 | 600 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
| FNKS21N60BL | TO-220F | 600 | 21 | 34 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
| FNKS21N60FL | TO-247 | 600 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
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650V SJ-MOS N系列 |
FNKS08N65AL | TO-220 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | ||||
| FNKS08N65BL | TO-220F | 650 | 7.8 | 32 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N65CL | TO-251 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N65DL | TO-252 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS08N65EL | TO-263 | 650 | 7.8 | 83 | 30 | 4 | 570 | 650 | |||||
| FNKS11N65AL | TO-220 | 650 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N65BL | TO-220F | 650 | 11 | 33 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N65EL | TO-263 | 650 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS11N65FL | TO-247 | 650 | 11 | 125 | 30 | 4 | 370 | 410 | |||||
| FNKS20N65AL | TO-220 | 650 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N65BL | TO-220F | 650 | 20 | 34.5 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS20N65FL | TO-247 | 650 | 20 | 208 | 30 | 4 | 180 | 210 | |||||
| FNKS21N65AL | TO-220 | 650 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
| FNKS21N65BL | TO-220F | 650 | 21 | 34 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
| FNKS21N65FL | TO-247 | 650 | 21 | 200 | 30 | 3 | 170 | 200 | |||||
MOSFET的操作原理
MOSFET的核心：金属-氧化层-半导体电容
金属-氧化层-半导体结构MOSFET在结构上以一个金属-氧化层-半导体的电容为核心（如前所述，今日的MOSFET多半以多晶硅取代金属作为其栅极材料），氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样子的结构正好等于一个电容器（capacitor），氧化层扮演电容器中介电质（dielectric material）的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数（dielectric constant）来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。
当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟著改变。考虑一个p-type的半导体（电洞浓度为NA）形成的MOS电容，当一个正的电压VGB施加在栅极与基极端（如图）时，电洞的浓度会减少，电子的浓度会增加。当VGB够强时，接近栅极端的电子浓度会超过电洞。这个在p-type半导体中，电子浓度（带负电荷）超过电洞（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层（inversion layer）。
MOS电容的特性决定了MOSFET的操作特性，但是一个完整的MOSFET结构还需要一个提供多数载子（majority carrier）的源极以及接受这些多数载子的漏极。
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超结mosfet直销商，工厂生产超结mosfet直销商批发
信息内容：乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。 产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ ...
超结mosfet直销，无铅环保超结mosfet直销批发
信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ ...
