mosfet电流，厂家生产批发mosfet管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK4030PK | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子目前的产品（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。
mosfet管的参数介绍
|
Parameter |
Symbol |
Limit |
Unit |
||
|
Drain-Source Voltage |
VDS |
-40 |
V |
||
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
±20 |
V |
||
|
Drain Current-Continuous |
ID |
-30 |
A |
||
|
Drain Current-Continuous(TC=100℃) |
ID (100℃) |
-21 |
A |
||
|
Pulsed Drain Current |
IDM |
-100 |
A |
||
|
Maximum Power Dissipation |
PD |
40 |
W |
||
|
Derating factor |
0.32 |
W/℃ |
|||
|
Single pulse avalanche energy (Note 5) |
EAS |
420 |
mJ |
||
|
Operating Junction and Storage Temperature Range |
TJ,TSTG |
-55 To 150 |
℃ |
||
|
Parameter |
Symbol |
Condition |
Min |
Typ |
Max |
||||
|
Off Characteristics |
|||||||||
|
Drain-Source Breakdown Voltage |
BVDSS |
VGS=0V ID=-250μA |
-40 |
- |
|||||
|
Zero Gate Voltage Drain Current |
IDSS |
VDS=-40V,VGS=0V |
- |
- |
|||||
|
Gate-Body Leakage Current |
IGSS |
VGS=±20V,VDS=0V |
- |
- |
± |
||||
|
On Characteristics (Note 3) |
|||||||||
|
Gate Threshold Voltage |
VGS(th) |
VDS=VGS,ID=-250μA |
-1.2 |
-1.9 |
- |
||||
|
Drain-Source On-State Resistance |
RDS(ON) |
VGS=-10V, ID=-14A |
- |
14 |
|||||
|
Forward Transconductance |
gFS |
VDS=-10V,ID=-14A |
- |
40 |
|||||
MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做为氧化层之用。
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信息内容：乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 mosfet管的参数介绍 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -30 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -21 A Pulsed Drain Current ...
超结mosfet报价表，600-650V超结MOSFET管价格
信息内容：乾野电子在中国大陆（上海、惠州等）、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司。 产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ Max ...
