mosfet导通压降，mosfet管价格
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK4030PK | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。
mosfet管的参数介绍
|
Parameter |
Symbol |
Limit |
Unit |
||
|
Drain-Source Voltage |
VDS |
-40 |
V |
||
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
±20 |
V |
||
|
Drain Current-Continuous |
ID |
-30 |
A |
||
|
Drain Current-Continuous(TC=100℃) |
ID (100℃) |
-21 |
A |
||
|
Pulsed Drain Current |
IDM |
-100 |
A |
||
|
Maximum Power Dissipation |
PD |
40 |
W |
||
|
Derating factor |
0.32 |
W/℃ |
|||
|
Single pulse avalanche energy (Note 5) |
EAS |
420 |
mJ |
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|
Operating Junction and Storage Temperature Range |
TJ,TSTG |
-55 To 150 |
℃ |
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|
Parameter |
Symbol |
Condition |
Min |
Typ |
Max |
||||
|
Off Characteristics |
|||||||||
|
Drain-Source Breakdown Voltage |
BVDSS |
VGS=0V ID=-250μA |
-40 |
- |
|||||
|
Zero Gate Voltage Drain Current |
IDSS |
VDS=-40V,VGS=0V |
- |
- |
|||||
|
Gate-Body Leakage Current |
IGSS |
VGS=±20V,VDS=0V |
- |
- |
± |
||||
|
On Characteristics (Note 3) |
|||||||||
|
Gate Threshold Voltage |
VGS(th) |
VDS=VGS,ID=-250μA |
-1.2 |
-1.9 |
- |
||||
|
Drain-Source On-State Resistance |
RDS(ON) |
VGS=-10V, ID=-14A |
- |
14 |
|||||
|
Forward Transconductance |
gFS |
VDS=-10V,ID=-14A |
- |
40 |
|||||
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其"通道"的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
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信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 mosfet管的参数介绍 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -30 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -21 A Pulsed Drai...
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