•   厚膜混合集成电路（THIC）是混合集成电路的一种。   

   

      1.集成电路是微电子技术的一个方面，它以特定的工艺在单独的基片之上（之内）形成并互连有关元器件，构成微型电子电路，从而完成某种电子电路功能，它按制作工艺分为三类：半导体集成电路、厚膜集成电路和薄膜集成电路。

      2.厚膜集成电路是采用丝网印刷、烧结或聚合等厚膜技术将组成电路的元器件及其连线以厚膜的形式制作在绝缘基片上所构成的整体电路。膜的厚度一般为几至几十微米。

      3.厚膜混合集成电路是在上述三种集成电路的基础上，发展了在单独的绝缘基片上，用厚膜技术制作膜式元件和互连导线，采用厚膜组装技术外贴微型晶体管、单片半导体集成电路等器件和其他无源器件，形成具有一定功能的微电路。

      4.厚膜混合集成电路与PCB相比较,具有元件参数范围广，精度和稳定性高，元件间绝缘良好，高频特性好，易于制作高压、大电流、大功率、耐高温和抗辐射电路，电路设计的灵活性大，研制周期短，适合多品种、小批量制作等特点，广泛应用于航空航天、计算机、汽车、通讯、仪器仪表、电源、消费类等各种电子产品中。

      5.THIC的应用特征:    

     a. 可与IC芯片进行二次集成，制作多功能的组件。

     b. 由于印刷元件能承受的比负荷功率大，基片的导热率高，组件具有较大的功率负载能力，适应于大功率和高压电路。

     c. 可以用多层布线基片，互连线短，信号延迟减小，应用于计算机。

     d. 封装模块在工艺筛选过程中把早期失效电路剔除，与单片IC相比，可靠性高。

     e. 封装模块在防潮、抗腐蚀性、防锈方面都比单片IC有很大提高。

     f. 可应用表面封装工艺与片式元器件组合，生产自动化水平高。

• 一、基板（96%氧化铝陶瓷）特性  

      1、尺寸（mm)： 150×150    可依用户需要定制  

      2、厚度（mm）：一般为0.635、0.762、1.016  可依用户需要定制

      3、抗弯强度（MPa）：≥300

      4、热膨胀系数（20-800℃）：6.5-8.0  ×10^-6mm/℃

      5、热导率（20℃）：≥20  W/(m.K)

      6、介电常数（1MHZ）：9.3-10.6

      7、介质损耗（1MHZ）：3×10^-4

      8、体积电阻率（20℃）：≥10¹⁴

      9、体积密度（g/cm³）：≥3.70

      10、粗糙度（μm)：0.20-0.75

      11、翘曲度（mm）：每10mm为0.03

  二、导带制作  

      1、最小线宽：0.10mm         最小线距：0.10mm

      2、电阻率（烧结厚度为12μm）：6—13  mΩ/□

      3、抗焊性（浸入230℃锡/铅/银焊剂中10秒）：3-5次

      4、粘着力：初始35N，150℃下1000小时后30N

      5、双面印刷，通孔技术，金导带制作

    6、多层导带交叉制作

  三、电阻制作  

      1、阻值范围：10 mΩ—10 MΩ

      2、电阻精度（中阻）：可达到0.1%，一般≤1%

      3、电阻稳定性（中阻）：125℃下72小时后阻漂＜0.3%

      4、电阻温度系数（中阻）：0±100ppm/℃ 

  四、绝缘介质制作  

      1、介电常数：  9—10

      2、绝缘电阻：  ＞ 10¹²Ω

      3、击穿电压：  600V/25μm

  五、表面贴装  

      1、焊盘附着力：初始35N，150℃下1000h后30N

      2、双面贴装    双面焊接

      3、SMD/SMC或整型后的THT元器件

      4、裸芯片

   六、焊接形式  

      1、再流焊

      2、金丝球焊或硅铝丝焊

      3、热风回流焊

   七、引线形式  

       1、双列直插（F型）

       2、单列直插（H型、Y型）

       3、直接引线

    八、封装形式  

       1、全密封（材料为金属、玻璃或陶瓷）

   2、半密封（材料为树脂）

• /Admin/kindeditor/attached/file/20130117/20130117134611_5552.pdf

NO-A1 一氧化氮传感器 NO2-D4 二氧化氮传感器 NO2-B1 二氧化氮气体传感器 NO2-AE 二氧化氮传感器 NO2-A1 二氧化氮传感器 IRCH-A1 红外甲烷（CH4）传感器 H2S-D4 硫化氢传感器 H2S-D1 硫化氢传感器 H2S-BH 硫化氢气体传感器 H2S-BE 硫化氢传感器 H2S-B1 硫化氢传感器 H2S-AH 硫化氢传感器 H2S-AE 硫化氢传感器 H2S-A1 硫化氢传感器 CO-DF 一氧化碳传感器 CO-D4 一氧化碳传感器 CO-CX 一氧化碳气体传感器 CO-CF 一氧化碳气体传感器 CO-CE 一氧化碳气体传感器 CO-AX 一氧化碳传感器 CO-AF 一氧化碳传感器 CO-AE 一氧化碳气体传感器 TGS825 硫化氢（H2S）传感器 TGS826 氨气（NH3）传感器 TGS830 卤素气体传感器 TGS831 卤素传感器 TGS832 R-134a卤素气体传感器 CL2-D4 电化学式氯气传感器 IRC-A1 红外二氧化碳CO2传感器 CL2-B1 电化学式氯气传感器 CL2-A1 电化学式氯气传感器 CH-D3 催化燃烧式气体传感器 SE3455/5455 红外发射二极管 SE3470/5470 红外发射二极管 SEP8505/8506 红外发射二极管 SDP8405/8406 光电晶体（接收管） SD3443 光电晶体（接收管） SD2440 光电晶体（接收管） SD1440 光电晶体（接收管） SD5600/5610 光电斯密特接收器 SDP8600 光电斯密特接收器 HOA0901/HLC2705 编码器传感器 HLC1395/HOA0149/1397/1405 反射式光电套件 HOA1180/2498 反射式光电套件 HOA0890/0880/0872/0301/0306 槽型红外光电传感器 HOA6480 条形码传感器 FOP-125 光纤压力传感器 FOP-M260 光纤压力传感器 FOP-M260 光纤压力传感器 FOT-HERO 光纤温度传感器 TPT-32 光纤温度传感器 FOT-M 光纤温度传感器 FOT-L 光纤温度传感器 FOP-MH 光纤压力传感器 FOP-MIV 光纤压力传感器 FOP-MSL 侧视用光纤压力传感器 FOP-MS 侧视用光纤压力传感器 FOP-MA 光纤压力传感器 FOP-C 光纤压力传感器 FOP-M 光纤压力传感器 SFO-W 光纤应变传感器 EFO 埋入式光纤应变传感器 FOS-N 光纤应变传感器 FOD 光纤位移传感器 FRI 光纤折射率传感器 FTI-OEM-STD 单通道OEM信号调理器 FTI-10 单通道信号调理器 GA100 PC板封装式压力传感器 ASDX DO 数字式压力传感器 FC21&22 称重传感器 AP681/AP683 陶瓷压力传感器 MS5535 潜水设备用压力传感器 MS5540C 超小体积数字气压计用压力传感器 MS5561C 压力传感器 MS5536 医疗用压力传感器 MS5534 高度计用压力传感器 MS54XX 模拟量输出压力传感器 MSP300 系列压力变送器 M3431 压力变送器 MSP600 不锈钢压力变送器 MSP400 不锈钢压力变送器 HTW2700 流量传感器 AWM720P1 流量传感器 AWM5000 流量传感器 AWM3000 流量传感器 AWM2000 流量传感器 AWM43600 流量传感 HMC1052L Honeywell二轴磁阻传感器 HMC1052 低功耗二维磁阻芯片 HMC1022 一/二维磁阻芯片 HAAM-313B 小型三轴加速度传感器 GP2Y1010AU 灰尘传感器 DSM501 灰尘/粉尘传感器 SS443A 开关型霍尔位置传感器 HB100 微波移动传感器模块 CSNE151-100 电流传感器