供应3kv瓷介电容器,3kv瓷介电容器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 3kv瓷介电容器 | |
| 品牌/商标： | rich | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合，这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
瓷片电容主要针对于高频，高压瓷片电容取决于你使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰。
优点
1.容量损耗随温度频率具高稳定性
2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性
3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构 .
CC01圆形瓷片电容：
环境温度：-25-85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p（+-0.5p） 6-10p（+-1P） 10p以上（J,K,M）
温度系数：1-4P +120（+-60）PPM 4-56P –47（+-60）PPM
CT01圆形瓷片电容：
环境温度：-25-85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻：1000mohm
允差：+80 -20%容量：1000-47000p
工作电压：63v 试验电压：200v CC10 超高频瓷介电容
可用于《500MHZ下，环境温度：-55-85C 相对湿度：+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g 冲击：加速度25g 离心：加速度15g
允差：k容量：1-47p工作电压：500v
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供应3kv瓷介电容,3kv瓷介电容厂家直销
信息内容：瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。 I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。 II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。CT1型圆形瓷片低频电容： 环境温度：-25-85C 相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101-472 （+-10%） 472-403（+80-- -20%） CC01圆形瓷片电容： 环境温度：-25-85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p（+-0.5p） 6-10p（+-1P） 10p以上（J,K,M） 温度系数：1-4P +120（+-60）PPM 4-56P –47（+-60）PPM CT01圆形瓷片电容： 环境温度：-25-85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻：1000mohm 允差：+80 -20%容量：1000-47000p 工作电压：63v 试验电压：200v CC10 超高频瓷介电容 可用于《500MHZ下，环境温度：-55-85C 相对湿度：+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g 冲击：加速度25g 离心：加...
供应2类瓷介电容器,2类瓷介电容器厂家直销
信息内容：瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。 I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。 II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。 CC1型圆片高频瓷介电容 适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025绝缘电阻：10000mohm 试验电压：200v 允许偏差：5p（+-0.5p） 6-10p（+-1P） 10p以上（J,K,M）温度系数：-150--- -1000PPM/C环境温度：-25-85C 相对湿度：+40C时达96% 温度系数：105 瓷介电容器的介质是陶瓷，根据陶瓷成分不同可分为高频瓷介电容器 介电容器两种（高频的用（：^表示，低频的用（：了表示）。几种瓷介电容器的外形 隐1~25所示。瓷介电容器的外层常涂有各种颜色的保护漆，漆的颜色表示出了电容器的温 ^^蓝色和灰色表示正温度系数（温度升髙时，电容量加大）；其他颜色的为负温度系 ^^以黑色的温度系数最小，浅绿色的温度系数。 公司秉承企业集约型发展战略，投入近百万元从美国、台湾等地引进...
