n沟道mosfet，mosfet管n沟道|无铅环保型
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK6030P | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子目前的产品（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。
mosfet管的参数介绍
|
Parameter |
Symbol |
Limit |
Unit |
|
Drain-Source Voltage |
VDS |
-60 |
V |
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
±20 |
V |
|
Drain Current-Continuous |
ID |
-30 |
A |
|
Drain Current-Continuous(TC=100℃) |
ID (100℃) |
-21.2 |
A |
|
Pulsed Drain Current |
IDM |
-60 |
A |
|
Maximum Power Dissipation |
PD |
80 |
W |
|
Derating factor |
|
0.64 |
W/℃ |
|
Single pulse avalanche energy (Note 5) |
EAS |
544 |
mJ |
|
Operating Junction and Storage Temperature Range |
TJ,TSTG |
-55 To 150 |
℃ |
|
Parameter |
Symbol |
Condition |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
Off Characteristics |
||||||
|
Drain-Source Breakdown Voltage |
BVDSS |
VGS=0V ID=-250μA |
-60 |
- |
- |
V |
|
Zero Gate Voltage Drain Current |
IDSS |
VDS=-60V,VGS=0V |
- |
- |
-1 |
μA |
|
Gate-Body Leakage Current |
IGSS |
VGS=±20V,VDS=0V |
- |
- |
±100 |
nA |
|
On Characteristics (Note 3) |
||||||
|
Gate Threshold Voltage |
VGS(th) |
VDS=VGS,ID=-250μA |
-1.2 |
-1.9 |
-2.5 |
V |
|
Drain-Source On-State Resistance |
RDS(ON) |
VGS=-10V, ID=-20A |
- |
32 |
40 |
mΩ |
|
Forward Transconductance |
gFS |
VDS=-10V,ID=-10A |
- |
25 |
- |
S |
当NMOS用来做开关时，其基极接地，栅极为控制开关的端点。当栅极电压减去源极电压超过其导通的临界电压时，此开关的状态为导通。栅极电压继续升高，则NMOS能通过的电流就更大。NMOS做开关时操作在线性区，因为源极与漏极的电压在开关为导通时会趋向一致。
- 所属城市：广东 惠州
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信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货；同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。 mosfet管的参数介绍 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -30 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ...
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信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 mosfet管的参数介绍 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -30 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -21.2 A Pulsed Drain Curren...
