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mosfet厂商,性能与可靠性超越同行

价 格: 面议
型号/规格:FNK5530PK
品牌/商标:FNK
封装形式:TO-252
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:卷带编带包装

  乾野电子的产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪;性能与可靠性超越同行;应用偏向高端;注重品牌和信誉。

 

  MOSFET的参数介绍

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

-55

V

Gate-Source Voltage

VGS

±20

V

Drain Current-Continuous

ID

-30

A

Drain Current-Continuous(TC=100)

ID (100)

-21

A

Pulsed Drain Current

IDM

110

A

Maximum Power Dissipation

PD

90

W

Derating factor

 

0.72

W/

Single pulse avalanche energy (Note 5)

EAS

420

mJ

 

Parameter

Symbol

Condition

Min

Typ

Max

Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS=0V ID=-250μA

-55

-

-

V

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=-55V,VGS=0V

-

-

1

μA

Gate-Body Leakage Current

IGSS

VGS=±20V,VDS=0V

-

-

±100

nA

On Characteristics (Note 3)

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS,ID=-250μA

-2

-3

-4

V

Drain-Source On-State Resistance

RDS(ON)

VGS=-10V, ID=-15A

-

30

40

Forward Transconductance

gFS

VDS=-25V,ID=-16A

8

-

-

S

Dynamic Characteristics (Note4)

 

  MOSFET的应用优势
  MOSFET在1960年由贝尔实验室(Bell Lab.)的D. Kahng和 Martin Atalla首次实作成功,这种元件的操作原理和1947年萧克莱(William Shockley)等人发明的双载子晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT)截然不同,且因为制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的优势,在大型集成电路(Large-Scale Integrated Circuits,LSI)或是超大型集成电路(Very Large-Scale Integrated Circuits,VLSI)的领域里,重要性远超过BJT.
  由于MOSFET元件的性能逐渐提升,除了传统上应用于诸如微处理器、微控制器等数位讯号处理的场合上,也有越来越多类比讯号处理的积体电路可以用MOSFET来实现。

惠州市乾野电子有限公司
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  • 所属城市:广东 惠州
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 吉先生
  • 电话:0752-7777240
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信息内容:

乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪;性能与可靠性超越同行;应用偏向高端;注重品牌和信誉。 产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ ...

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乾野电子在中国大陆(上海、惠州等)、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司。 产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ Max ...

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