到货TDK的插件陶瓷晶振。
4M 2脚的型号是 FCR4.0M5 4M 3脚的型号是 FCR4.0MC5
8M 2脚的型号是 FCR8.0M5 8M 3脚的型号是 FCR8.0MC5
12M 3脚的型号是 FCR12.0MC5
晶振 CSTLS8M00G53-A0
晶振 CSTLS8M00G53-B0
晶振 CSTLS4M00G53-B0
晶振 CSTLS6M00G53-B0
晶振 CSTLS4M19G53-B0
晶振 CSTLS4M00G53-B0
晶振 CSTLS8M00G53-B0
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晶振发展趋势
1.小型化、薄片化和片式化:为满足移动电话为代表的便携式产品轻、薄、短小的要求,石英晶体振荡器的封装由传统的裸金属外壳覆塑料金属向陶瓷封装转变。例如TCXO这类器件的体积缩小了30~100倍。采用SMD封装的TCXO厚度不足2mm,目前5×3mm尺寸的器件已经上市。
2.高精度与高稳定度,无补偿式晶体振荡器总精度也能达到±25ppm,VCXO的频率稳定度在10~7℃范围内一般可达±20~100ppm,而OCXO在同一温度范围内频率稳定度一般为±0.0001~5ppm,VCXO控制在±25ppm以下。
技术参数: 总频差: 20PPM(MHz) SiT8102内含一颗MEMS谐振器和一颗CMOS电路。所有的控制,驱动和频率变换由COMS电路完成。通过一次编程方式可产生从1MHzand200MHz范围内的任何频率,在商用或工业级温度范围内误差为+/-50或+/-100ppm.工作电压可选;1.8V,2.5V,或3.3V.并可工作于待机状态和输出使能控制以满足低功耗的要求。 MEMS振荡器SiT8102参数: 频率范围(MHz):1-200MHZ 工作频率稳定性(PPM):± 20、± 25、±30、± 50 工作电压(V):1.8、2.5V、2.8V、3.3V 工作电流(mA):6.7 温度范围(°C): -20 to +70,-40 to +85(工业) 封装(mm):2.5*2.0*0.75,3.2*2.5*0.75, 5.0*3.2*0.75, 7.0*5.0*0.9 产品的相关型号参数请咨询在线客服或拨打400电话确认! 晶振发展趋势 1.小型化、薄片化和片式化:为满足移动电话为代表的便携式产品轻、薄、短小的要求,石英晶体振荡器的封装由传统的裸金属外壳覆塑料金属向陶瓷封装转变。例如TCXO这类器件的体积缩小了30~100倍。采用SMD封装的TCXO厚度不足2mm,目前5×...
自主品牌YXC.一家的电子元器件供应商,分销SAMSUNG,Epson,Epcos ,TXC,NDK,TDK,MURATA, Ecera等知名品牌。多年的销售经验和丰富的渠道能让我们爲客户提供更优质的産品服务。 SIT8103AI-42-33E-8.00000Y参数: 工作温度:-40~-85 封装尺寸:7.0*5.0mm 频度稳定性:25PPM 电源电压:3.3V10% 频度:8M 详细型号参数请拨打400电话资询! 晶振的标称值在测试时有一个"负载电容"的条件,在工作时满足这个条件,振荡频率才与标称值一致。一般来讲,有低负载电容(串联谐振晶体) 高负载电容(并联谐振晶体)之分。在电路上的特征为:晶振串一只电容跨接在IC两只脚上的,则为串联谐振型;一只脚接IC,一只脚接地的,则为并联型。如确实没有原型号,需要代用的可采取串联谐振型电路上的电容再并一个电容,并联谐振电路上串一只电容的措施。