6ES7 211-0AA23-0XB0

6ES7 211-0BA23-0XB0

电源电压

24 V DC

√

允许范围，下限 (DC)

20.4 V

允许范围，上限 (DC)

28.8 V

120 V AC

√

230 V AC

√

电源频率

• 电源电压的频率

63 Hz

负载电压 L+

• 额定值(DC)

24 V

24 V

• 允许范围，下限 (DC)

20.4 V

5 V

• 允许范围，上限 (DC)

28.8 V

30 V

负载电压L1

• 额定值(AC)

100 V; 100 至 230 V AC

• 允许范围，下限 (AC)

5 V

• 允许范围，上限(AC)

250 V

• 允许频率范围，下限

47 Hz

• 允许频率范围，上限

63 Hz

输入电流

突波电流，

28.8 V 时 10 A

264 V 时 20 A

从电源L+ 供电，

450 mA; 80 - 450 mA

从电源L1供电，

120 mA; 15 - 60 mA (240 V); 30 - 120 mA (120 V); 扩展模块输出电流 (5 VDC) 340 mA

编码器电源

24 V 编码器电源

• 24 V

√；允许范围：15.4 至 28.8 V

√；允许范围：20.4 至 28.8 V

• 短路保护

√；600 mA 时电子式

√；600 mA 时电子式

• 输出电流，

180 mA

180 mA

备用电池

电池运行

• 后备时间，

50 小时；（40 ℃ 时，最短 8 小时）；带有可选电池模块时，200 天（典型值）

50 小时；（40 ℃ 时，最短 8 小时）；带有可选电池模块时，200 天（典型值）

存储器

存储模块数量(选件)

1，可插入存储模块，内容存储在内置的EEPROM中，此外还可以存储配方、数据记录和其他文件。

1，可插入存储模块，内容存储在内置的EEPROM中，此外还可以存储配方、数据记录和其他文件。

数据和程序存储器

• 数据存储器，

2 kbyte

2 kbyte

• 程序存储器，

4 kbyte

4 kbyte

后备

• 提供

√；程序：集成 EEPROM 上的整个程序免维护，可通过 CPU 编程；数据：集成 EEPROM 上从编程器/PC 加载的整个 DB 1 免维护，RAM 中 DB 1 的电流值，通过高性能电容器，非易失性内存位、计时器、计数器等免维护；可选电池，用于长期缓冲

√；程序：集成 EEPROM 上的整个程序免维护，可通过 CPU 编程；数据：集成 EEPROM 上从编程器/PC 加载的整个 DB 1 免维护，RAM 中 DB 1 的电流值，通过高性能电容器，非易失性内存位、计时器、计数器等免维护；可选电池，用于长期缓冲

CPU 处理时间

位指令，

0.22 μs

0.22 μs

计数器、定时器及其保持性

S7 计数器

• 数量

256

256

• 其中通过电池可保持

• 可调节

√；通过高性能电容或电池

√；通过高性能电容或电池

• 下限

1

1

• 上限

256

256

• 计数范围

• 下限

0

0

• 上限

32 767

32 767