低压瓷介电容,低压瓷介电容,低压瓷介电容欲购从速
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 全系列 | |
| 品牌/商标： | rich | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 产品主要用途： | 普通/民用电子信息产品 |
片电容器主要性能参数表现在：使用温度范围、等级、工作电压、电气性能。 1-1 使用温度范围：指能使电容器持续使用而无不良效应发生之周围温度范围而言。 1-2 等级：指基于某条件下之变化，对电容器性能之保证程度区分而言。 1-3 工作电压：指规定之温度范围条件内能持续加于电容器而不产生任何异常现象之电 压。 1-4 电气性能：电容器电气性能之种类依赖温度特性、使用温度范围、工作电压、公称静电 容量及静电容量许差而分。
瓷介质电容器的结构原理
（1）陶瓷材料本身耐酸、碱、盐以及水的侵蚀，故能长期工作不易老化。
（2）陶瓷电容器损耗角正切值tgδ与频率的关系很小，因此，广泛应用于高频电路中。
（3）陶瓷材料的介电系数ε值很大，根据种类不同，介电系数一般在几十到几百，有些强性陶瓷材料的ε值高达几千。因此，瓷介质电容器的比电容较大，可以使体积做得很小。
（4）由于陶瓷片没有卷曲性，只能制成平板式电容嚣，所以陶瓷电容器本身不带电感性，高频特性较高。但平板式电容器的总电容不是很大，若要增大电容，可采用叠层的方式，如图2-15 （f）所示，这样电容器的体积也将随之增大。
（5）瓷介质电容器的电容比较小，一般在几个皮法到零点零几微法之间。
（6）陶瓷质电容器可制成圆片形、圆管形、筒形、叠片形等，常用的多为圆片形与叠片形。
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总经理及发起人：龚良勇先生
龚良勇先生毕业于大连交通大学，学士学位，在电子元器件行业拥有相当丰富的经验，毕业后一直担任某国营电容器公司副总经理，监管产品品质和市场销售。
副总经理及投资人：胡小姐、熊俊先生
熊俊先生毕业于西北工业大学电子信息学院，硕士研究生学位。
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信息内容：1.特点及用途（FEATURES & APPLICATIONS） 温度补偿型电容器，又称高频陶瓷电容器。该类电容器的电容量随温度改变呈线性变化，适用于调谐回路和需要补偿温度效应的电路中。 产品的详细参数和相关型号请咨询在线客服或生产厂家确认！ 电容量对照表（CAPACITANCE CHART 额定电压（VDC） 产品尺寸 电容温度系数组别 引线尺寸 直径 厚度 CH（NP0） UJ（N750） SL（P100～N1000） 间距 直径 Dmax Tmax 电容量 范围(pf) 素子 尺寸 电容量 范围(pf) 素子 尺寸 电容量 范围(pf) 素子 尺寸 50～160 5.0 3.0 0.5～47 4718 ...
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信息内容：1.特点及用途（FEATURES & APPLICATIONS） 温度补偿型电容器，又称高频陶瓷电容器。该类电容器的电容量随温度改变呈线性变化，适用于调谐回路和需要补偿温度效应的电路中。 2.技术指标（SPECIFICATIONS） 电容量(capacitance) 0.5pF～1000pF 电容量允许偏差(capacitance tolerance) C(±0.25pF),D(±0.5pF), J(±5%), K(±10%) 温度系数(temperature coefficient) NP0,N750,SL 使用温度(operating temperature) -25℃～85℃ 额定电压(rated voltage) 50～160,500VDC 耐电压(voltage proof) 2.5Ur 品质因素(quality factor)(Q) C≥30pF,Q≥1000；C<30pF,Q≥400+20*C @ 1MHz,1±0.2Vrms,25℃ 绝缘电阻(insulation resistance)(IR) IR≥10000MΩ...
