高性能、低功耗电压,8位单片机,先进RISC体系结构
131强大的指令——大多数单时钟周期执行
32 x 8通用工作寄存器
完全静态操作
20 MIPS吞吐量在20兆赫兹
芯片上2周期倍增
高耐力非易失性内存段
4/8/16/32K字节的在系统自可编程Flash程序内存
256/512/512/1K字节eepm
512/1K / 1 k / 2 k字节的内部存储器
- 28销PDIP,32铅TQFP,28垫QFN / MLF和32垫QFN / MLF
操作电压:1.8 - 5.5 v
温度范围:40°C到85°C
速度等级: 0 - 4 MHz@1.8 - 5.5 v,0 - 10 MHz@2.7 - 5.5。V,0 - 20 MHz @ 4.5 - 5.5 V
电力消耗在1兆赫,1.8 v,25°C
主动模式:0.2 mA
省电模式:0.1μA
省电模式:0.75μA(包括32 kHz RTC)
三菱功率模块已经广泛用于整流和逆变电路。IGBT是电源或电机驱动用变频电路的开关元件。为了真正满足市场对装置噪音低、效率高、体积小、重量轻、精度高、功能强、容量大的要求,三菱电机积力于新型器件的研究、开发,为人类的节能和环保不断努力。目前已开发出的IGBT模块,IPM,DIPIPMTM,MOSFET,HVIGBT等功率模块的主要应用于:通用变频器,伺服驱动器,电源装置,电梯,电焊机,逆变焊机,风力发电,太阳能发电,感应加热器,电动叉车,铁道交通、显示装置,马达控制,焊接机器人!