单片机,厂家价格批发51单片机|8051单片机|产品参数
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 8051 | |
| 品牌/商标： | FNK |
惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年，从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
单片机的产品参数
| 规格 | FNK9988(H87F041) | FNK9987(H87F021) | FNK9986(H87F020) |
| CPU核 | 1T 8051 | 1T 8051 | 1T 8051 |
| ROM | 4KB Flash ROM (2万次擦写次数)，支持ISP在线烧写 | 2KB Flash ROM (2万次擦写次数)，支持ISP在线烧写 | 1KB Flash ROM (2万次擦写次数)，支持ISP在线烧写 |
| SRAM | 256Byte | 256Byte | 256Byte |
| 定时/计数器 | 2*16（TC0、TC1），可编程设定分频系数 | 2*16（TC0、TC1），可编程设定分频系数 | 2*16（TC0、TC1），可编程设定分频系数 |
| PWM | 5*8位PWM TSSOP20支持5路PWM：P2.3、P2.4、P0.5、P0.6与P0.7。SOP14/DIP14支持2路PWM：P2.3、P2.4 | 5*8位PWM P2.3、P2.4、P1.2、P1.3与P1.4 | 5*8位PWM P2.3、P2.4、P1.2、P1.3与P1.4 |
| ADC | (8+1)*12位ADC：8路外部模拟信号输入，1路内部电源检测，DIP14/SOP14封装仅支持5路外部模拟信号输入。 5种参考电压选择，外部为P1.0管脚，内部参考电压可设定，对应VDD、4V、3V与2V | (5+1)*12位ADC：5路外部模拟信号输入，1路内部电源检测。 5种参考电压选择，外部为P1.0管脚，内部参考电压可设定，对应VDD、4V、3V与2V | —— |
| 输入输出双向口 | P0、P1、P2，包括与复位脚(RST)共用的P0.4 | P0、P1、P2，包括与复位脚(RST)共用的P0.4 | P0、P1、P2，包括与复位脚(RST)共用的P0.4 |
| 单向输入引脚 | P0.4，与复位引脚共用 | P0.4，与复位引脚共用 | P0.4，与复位引脚共用 |
| 内置上拉电阻口 | 支持P0、P1、P2 | 支持P0、P1、P2 | 支持P0、P1、P2 |
| 低压检测系统（LVD） | 支持16级低压检测 | 支持16级低压检测 | 支持16级低压检测 |
| 中断源 | 6个（INT0、INT1、TC0、TC1、ADC、PWM） | 6个（INT0、INT1、TC0、TC1、ADC、PWM） | 5个（INT0、INT1、TC0、TC1、PWM） |
| 外部晶振频率 | 0-24MHz | 0-24MHz | 0-24MHz |
| 内部RC振荡频率 | 16MHz±2% | 16MHz±2% | 16MHz±2% |
| 工作电压 | 2.0~5.5V | 2.0~5.5V | 2.0~5.5V |
| 封装 | DIP14/SOP14/TSSOP20 | DIP14/SOP14 | DIP14/SOP14 |
| 注：H87F0X系列芯片其他主要特征还包括： | |||
| 1. P2.3 P2.4两个PWM IO端口的上电复位后缺省状态为高阻，与常规8051单片机端口上电后缺省状态不同，但可由软件设定为准双向、高阻、漏极开路与推挽输出四种中的一种； | |||
| 2. 超低功耗设计，Powerdown模式下功耗~1uA。 | |||
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MOS管，场效应晶体管|中低压MOSFET|高压MOSFET|超结MOSFET
信息内容：乾野电子在目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。 MOS管的介绍 mos管是金属（metal）-氧化物（oxid）-半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体（insulator）-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 MOS管的主要参数 1.开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压； ·标准的N沟道MOS管，VT约为3~6V; ·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2~3V. 2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3. 漏源击穿电压BVDS ·在VGS=0（增强型）的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ·ID剧增的原因有下列两个方面： （1）漏极附近...
三极管，晶体管|晶体三极管|锗管和硅管|NPN和PNP两种结构
信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货。 三极管的介绍 半导体三极管又称"晶体三极管"或"晶体管".在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。 三极管的工作原理 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形...
