开关传感器MMS1X1H，超低功耗双极锁存型磁开关传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS1X1H | |
| 品牌/商标： | MDT |
多维科技主要成员拥有丰富的磁性传感芯片及传感器产业经验，将矢志不渝地把多维发展成为世界、产品性能、供货质量稳定的磁传感芯片供应商作为企业发展的目标，服务于磁性传感器行业，并计划在企业设立的研发中心，建立传感器产业园，发挥产业集聚效应，为社会创造更大的价值。
MMS1X1H超低功耗双极锁存型磁开关的产品特点：
·隧道磁电阻（TMR）技术
·1.5微安超低功耗
·高频率响应可达1kHz
·双极锁存型开关
·高灵敏度，低开关点
·宽工作电压范围
·卓越的温度稳定性
·优越的抗外磁场性能
磁特性(VCC= 3.0V, TA= 25°C)
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参数 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
值 |
单位 |
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工作点 |
BOP |
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17 |
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G |
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释放点 |
BRP |
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-17 |
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G |
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回差 |
BH |
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34 |
|
G |
随着GMR效应研究的深入，TMR效应开始引起人们的重视。尽管金属多层膜可以产生很高的GMR值，但强的反铁磁耦合效应导致饱和场很高，磁场灵敏度很小，从而限制了GMR效应的实际应用。MTJ s中两铁磁层间不存在或基本不存在层间耦合，只需要一个很小的外磁场即可将其中一个铁磁层的磁化方向反向，从而实现隧穿电阻的巨大变化，故MTJ s较金属多层膜具有高得多的磁场灵敏度。同时，MTJ s这种结构本身电阻率很高、能耗小、性能稳定。因此，MTJ s无论是作为读出磁头、各类传感器，还是作为磁随机存储器(MRAM)，都具有无与伦比的优点，其应用前景十分看好，引起世界各研究小组的高度重视。
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开关传感器MMS1X1H，超低功耗双极锁存型磁开关
信息内容：多维科技有是一家创新型的高科技公司，由多位欧美留学归国博士创办，提供基于先进的第四代磁传感技术--隧道磁电阻（TMR）的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案，该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。 MMS1X1H超低功耗双极锁存型磁开关的产品特点： ·隧道磁电阻（TMR）技术 ·1.5微安超低功耗 ·高频率响应可达1kHz ·双极锁存型开关 ·高灵敏度，低开关点 ·宽工作电压范围 ·卓越的温度稳定性 ·优越的抗外磁场性能 输出和磁场关系 参数 测试条件 输出信号 南极磁场(S) B>BOPS 低电平（开） 0<B<BRPS 高电平（关） 北极磁场(N) B < BOPN ...
开关传感器MMS2X1H，超低功耗全极磁开关|液位传感器专用
信息内容：多维科技拥有的磁传感芯片的制造设备，拥有多项自主知识产权和核心技术，并不断地完善和扩展所涉及的核心技术和知识产权。 MMS2X1H超低功耗全极磁开关的产品特点： ·隧道磁电阻（TMR）技术 ·1.5微安超低功耗 ·高频率响应可达1kHz ·双极锁存型开关 ·高灵敏度，低开关点 ·宽工作电压范围 ·卓越的温度稳定性 ·优越的抗外磁场性能 极限参数 参数 符号 额定值 单位 工作电压 VCC 7 V 反向供电电压 VRCC 0.3 V 输出电流 IOUTSINK ...
