齿轮传感器，隧道磁电阻技术MMGX45型号热卖

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型号：		MMGX45

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　　多维科技拥有的磁传感芯片的制造设备，拥有多项自主知识产权和核心技术，并不断地完善和扩展所涉及的核心技术和知识产权。

　　齿轮传感器的产品特点：
　　■隧道磁电阻（ TMR）技术
　　-->大的动态范围
　　-->大的空气间隙
　　-->超高工作频响
　　-->正余弦输出
　　-->的芯片间距和芯片相位差
　　-->良好的温度和电压稳定性
　　-->小巧超薄的封装

极限参数

参数	符号	限值	单位
工作电压	VCC	7	V
反向供电电压	VRCC	7	V
外加磁场	H	1500	Oe⁽¹⁾
ESD性能	VESD	4000	V
使用温度	TA	-40~ 125	°C
存储温度	Tstg	-50~ 150	°C

　　在磁隧道结（MTJ s）中，TMR效应的产生机理是自旋相关的隧穿效应。MTJ s的一般结构为铁磁层 /非磁绝缘层 / 铁磁层( FM / I/FM)的三明治结构。饱和磁化时，两铁磁层的磁化方向互相平行，而通常两铁磁层的矫顽力不同，因此反向磁化时，矫顽力小的铁磁层磁化矢量首先翻转，使得两铁磁层的磁化方向变成反平行。电子从一个磁性层隧穿到另一个磁性层的隧穿几率与两磁性层的磁化方向有关。

江苏多维科技有限公司

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多维科技主营范围：TMR磁传感器芯片（包括线性传感器、角度传感器、开关传感器、金融磁头、电流传感器等）及其应用解决方案。　　齿轮传感器的产品特点：　　■隧道磁电阻（ TMR）技术　　-->大的动态范围　　-->大的空气间隙　　-->超高工作频响　　-->正余弦输出　　-->精确的芯片间距和芯片相位差　　-->良好的温度和电压稳定性　　-->小巧超薄的封装　　齿轮传感器的典型应用：　　■线速度和角速度感应　　-->线性位移和角度位移感应　　-->方向检测　　-->磁栅尺和磁性编码器　　齿轮传感器的介绍　　MMG系列梯度磁场传感芯片采用了独特的推挽式惠斯通电桥设计，包括四（八）个非屏蔽高灵敏度（TMR）传感元件。当外加梯度磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通电桥提供差分电压输出。　　TMR（Tunnel MagnetoResistance）元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器，其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应，比之前所发现并实际应用的AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。我们通常也用磁隧道结（Magnetic Tunnel Junc...

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