东芝2SK3767场效应管，东芝代理现货库存。
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格： | 2SK3767 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | MOS-INM/独立组件 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
东芝2SK376场效应管，N沟道场管。因东芝2SK3067已经停产，2SK3767替代2SK3067。
2SK3767 特点
2SK3767，采用TO-220SIS封装方式。
晶体管极性:N
漏极电流, Id 值:2A
电压, Vds :600V
开态电阻, Rds(on):4.5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs :30V
功耗:25W
功率, Pd:25W
晶体管类型:MOSFET
电流, Idm 脉冲:5A
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
东芝代理光耦：TLP185、TLP187、TLP701、TLP127、TLP181、TLP184、TLP290
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TOSHIBA东芝MOS管：2SK3767、2SK3067、2SK3878、2SK4107、2SK4108。。。
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型号：2SK3767 品牌：TOSHIBA 封装：TO220
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