SM7012是采用电流模式PWM控制方式的开关芯片。集成高压启动电路和650V高压功率管,为低成本开关电源系统提供高性价比的解决方案。芯片VDD工作电压范围宽,很方便的应用于充电器领域。芯片提供了过温、过流、过压、欠压等保护功能,保证了系统的可靠性。
编辑本段特点:
SM7012/SM7022 - PWM控制芯片,完美兼容VIPer12/22相比VIPer12/22,效率更高,热功耗更低,可靠性强。
待机功耗:0.15W
85Vac~265Vac宽电压输入
集成高压组成电路
集成650V高压功率开关
60KHz固定开关频率
9V~30V宽 VDD工作电压范围
电流模式PWM控制方式
内置过温、过流、过压、欠压等保护功能
功率:8W~ 13W
封装模式:DIP8
编辑本段应用领域:
小功率充电器 小功率适配器 待机电源
DVD,DVB以及其它便携式电源 增加PCB散热
增加独立散热片 其它散热措施
74HC595是硅结构的CMOS器件, 兼容低电压TTL电路,遵守JEDEC标准。 74HC595是具有8位移位寄存器和一个存储器,三态输出功能。 移位寄存器和存储器是分别的时钟。 数据在SHcp的上升沿输入到移位寄存器中,在STcp的上升沿输入到存储寄存器中去。如果两个时钟连在一起,则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。 移位寄存器有一个串行移位输入(Ds),和一个串行输出(Q7’),和一个异步的低电平复位,存储寄存器有一个并行8位的,具备三态的总线输出,当使能OE时(为低电平),存储寄存器的数据输出到总线。 8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器,具有高阻关断状态。三态。 将串行输入的8位数字,转变为并行输出的8位数字,例如控制一个8位数码管,将不会有闪烁。 并行输出,总线驱动; 串行输出;标准中等规模集成电路 595移位寄存器有一个串行移位输入(Ds),和一个串行输出(Q7’),和一个异步的低电平复位,存储寄存器有一个并行8位的,具备三态的总线输出,当使能OE时(为低电平),存储寄存器的数据输出到总线。 参考数据 Cpd决定动态的能耗, Pd=Cpd×VCC×f1+∑(CL×VCC^2×f0) F1=输入频率,...
1. 内置600V高压MOS管,电路简单,外围元件少. 2. 高压264V输入时,待机功耗在0.20W以下. 3. 平均效率可满足能源之星五等级要求. 4. 内置软启动电路,可减小开机过冲,降低MOS应力. 5. 芯片外部有MOS驱动微调功能,可改善EMI效果. 6. 频率抖动功能,使其具有更好的EMI特性. 7. 具有OCP,OVP,SCP等多种保护功能,故障解除后可自动恢复输出. 1. 输入特性交流输入标称电压:AC100V~240V交流输入电压范围:AC90V~264V交流输入标称频率:50Hz/60Hz交流输入频率范围:47Hz~63Hz交流输入电流:0.45A.max。 2. 输出特性系列机输出电压及电流:① 9V*2A② 12V*1.5A电压容差:±5%输出纹波: