价 格: | 面议 | |
型号/规格: | ME75N80C | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
品牌/商标: | 日本松木 | |
用途: | HF/高频(射频)放大 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
原装正品: | 原装正品 |
dzsc/19/3372/19337290.jpg
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dzsc/19/3382/19338248.jpgPT19-21C/L41/TR8是亿光卫星SMD封装的红外线接收发光二极管,这是在水平的顶视图镜头的透明塑料成型。该器件的光谱与硅光电二极管和光电晶体管匹配。小双端包•低正向电压•良好的硅光电探测器的光谱匹配•7“卷轴直径在8mm磁带上的包装,无铅、产品本身将保持在符合ROHS版本。 IR19-21C/TR8常与PT19-21C/L41/TR8组合,主要应用于灯具上做感应开关,一级意思年华电路板安装红外线传感器、红外线发光微型光障、软驱,光电开关,烟雾探测器。 制造商:Everlight产品种类:光电晶体管RoHS:dzsc/19/3382/19338248.jpg 详细信息功率耗散:75 mW集电极—发射极电压 VCEO:30 V集电极—射极击穿电压:30 V集电极—射极饱和电压:0.4 V下降时间:15 us工作温度: 85 C最小工作温度:- 25 C封装:Reel产品:Phototransistors上升时间:15 us波长:940 nm
dzsc/19/3385/19338506.jpg制造商:Osram Opto Semiconductor产品:PIN Photodiodes反向电压:16 V暗电流:30 nA峰值波长:950 nm上升时间:20 ns下降时间:20 ns半强度角度:60 deg封装 / 箱体:DIL-SMT-2暗电流:2 nA工作温度: 100 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT噪声等效功率 - NEP:4.3E-14 W/sqrt Hz光电流:50 uA功率耗散:150 mW响应率:0.59 A/W