价 格: | 面议 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
型号/规格: | FDPF18N50 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 |
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.265 Ohms
正向跨导 gFS(值/最小值) : 25 S
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
漏极连续电流: 8 A
功率耗散: 38.5 W
工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220F
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 50
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dzsc/19/3354/19335440.jpg制造商: ON Semiconductor 产品种类: 电流型 PWM 控制器 RoHS: 详细信息 输出端数量: 1 输出电压: 4.9 V to 5.1 V 输出电流: 1000 mA (Max) 封装 / 箱体: SOIC-8 工作电源电压: 30 V 开关频率: 500 KHz 占空因数(值): 96 % (Typ) 上升时间: 50 ns 下降时间: 50 ns 同步管脚: No 工作温度: 70 C 最小工作温度: 0 C 封装: Reel 安装风格: SMD/SMT 拓扑结构: Boost or Flyback or Forward 有实单,想知道内部优势价么!请点击
产品种类: 两极晶体管 - BJT RoHS: 过渡期间 配置: Single 晶体管极性: PNP 集电极—基极电压 VCBO: - 300 V 集电极—发射极电压 VCEO: - 300 V 发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V 集电极—射极饱和电压: - 300 V 直流电集电极电流: 0.5 A 增益带宽产品fT: 50 MHz 直流集电极/Base Gain hfe Min: 40 工作温度: 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23 集电极连续电流: - 0.5 A 功率耗散: 350 mW 最小工作温度: - 65 C 封装: Reel 工厂包装数量: 3000 有实单,想知道内部优势价么!请点击