dzsc/19/3314/19331428.jpg
7,500 |
分立半导体产品 |
单二极管/整流器 |
- |
标准 |
1000V(1kV) |
1A |
1.1V @ 1A |
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
1.8µs |
1µA @ 1000V |
12pF @ 4V,1MHz |
表面贴装 |
DO-214AC,SMA |
SMA |
带卷 (TR) |
1611 (CN2011-ZH PDF) |
S1MFSTR |
dzsc/19/3314/19331431.jpg制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:dzsc/19/3314/19331431.jpg 详细信息晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:200 V闸/源击穿电压: /- 30 V漏极连续电流:19 A电阻汲极/源极 RDS(导通):0.17 Ohms配置:Single工作温度: 150 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB封装:Tube下降时间:115 ns正向跨导 gFS(值/最小值):10.8 S最小工作温度:- 55 C功率耗散:139 W上升时间:150 ns工厂包装数量:50典型关闭延迟时间:135 ns零件号别名:FQP19N20C_NL"
dzsc/19/3316/19331605.jpg标准包装1类别分立半导体产品家庭单二极管/整流器系列-二极管类型标准电压 - DC 反向 (Vr)(值)1000V(1kV)电流 - 平均整流 (Io)3A不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)1.2V @ 3A速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)反向恢复时间 (trr)-不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 1000V不同 Vr、F 时的电容30pF @ 4V,1MHz安装类型通孔封装/外壳DO-201AD,轴向供应商器件封装DO-201AD包装剪切带 (CT)产品目录页面1611 (CN2011-ZH PDF)其它名称1N5408FSCT