价 格: | 面议 | |
漏源极电压: | 30V | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
功率值: | 1.4W | |
型号/规格: | AO3402 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
电流 - 连续漏极: | 4A | |
品牌/商标: | AOS/美国万代 | |
用途: | MOS-ARR/陈列组件 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 |
数据列表 | AO3402 |
产品相片 | SOT-23 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | - |
FET类型 | MOSFET N通道,金属氧化物 |
FET功能 | 逻辑电平门,2.5V Drive |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25° C时) | 4A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On(值) | 55毫欧@ 4A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(值) | 1.4V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.34nC @ 4.5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 390pF @ 15V |
功率-值 | 1.4W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
包装 | 带卷(TR) |
数据列表STPS20S100C标准包装50类别分立半导体产品家庭二极管,整流器-阵列系列-不同If时的电压-正向(Vf)850mV @ 10A不同 Vr时的电流-反向漏电流3.5µA @ 100V电流-平均整流(Io)(每二极管)10A电压- DC反向(Vr)(值)100V反向恢复时间(trr)-二极管类型肖特基速度快速恢复=< 500 ns,> 200mA(Io)二极管配置1对共阴极安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商器件封装TO-220AB包装管件
数据列表BZX84C5V6-7-F 产品相片SOT-23标准包装3,000类别分立半导体产品家庭单二极管/齐纳系列-电压-齐纳(标称值)(Vz)5.6V不同If时的电压-正向(Vf)900mV @ 10mA不同 Vr时的电流-反向漏电流1µA @ 2V容差±7%功率-值300mW阻抗(值)(Zzt)40欧姆安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3包装带卷(TR)工作温度-65°C~ 150°C"