SI4800BDY-T1-E3
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SI4800BDY-T1-E3 | |
| 品牌/商标： | Vishay/威世通 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
| SI4800BDY |
| 8-SOIC |
| 2,500 |
| 分立半导体产品 |
| FET - 单 |
| TrenchFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 30V |
| 6.5A |
| 18.5 毫欧 @ 9A，10V |
| 1.8V @ 250µA |
| 13nC @ 5V |
| - |
| 1.3W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 8-SOIC N |
| 带卷 (TR) |
| 1662 (CN2011-ZH PDF) |
| SI4800BDY-T1-E3TR |
质保说明:1、由于电子元件这种产品的特殊性，如有质量问题买家请从收货时起7天内提出，经我们调解,核对后,方可退货,换货等。2、对于焊过、剪脚、上锡、上机、写入程序、客户操作失误或其它原因人为损坏的电子元件不能退换！！
注意事项:1、买家收到货时请认真检查外包装，发现明显损坏迹象,可以拒收。2、买家应在送货人员面前打开包装，核对数量。如有问题，请当场联系撑柜，一旦签收，将视为您对产品外观和数量的认同。
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 吴盛涛
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FQPF5N50C
信息内容：数据列表FQP5N50C, FQPF5N50CTO-220F Tube Packing Data产品相片TO-220AB 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing标准包装50类别分立半导体产品家庭FET - 单系列QFET™FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压 (Vdss)500V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）5A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）1.4 欧姆 @ 2.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（值）4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)24nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)625pF @ 25V功率 - 值38W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3 整包供应商器件封装TO-220F包装管件 质保说明:1、由于电子元件这种产品的特殊性，如有质量问题买家请从收货时起7天内提出，经我们调解,核对后,方可退货,换货等。2、对于焊过、剪脚、上锡、上机、写入程序、客户操作失误或其它原因人为损坏的电子元件不能退换！！注意事项:1、买家收到货时请认真检查外包装，发现明显损坏迹象,可以拒收。2、买家应在送货人员面前打开包装，核对数量。如有问题，请当场联系撑柜，一旦签收，将视为您对产品外观和数量的认同。
IRFU214PBF
信息内容：数据列表IRFR214, IRFU214产品相片DPAK_369D−01产品目录绘图IR(F,L)U Series Side 1IR(F,L)U Series Side 2标准包装3,000类别分立半导体产品家庭FET - 单系列-FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压 (Vdss)250V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）2.2A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）2 欧姆 @ 1.3A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（值）4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)8.2nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)140pF @ 25V功率 - 值2.5W安装类型通孔封装/外壳TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA供应商器件封装TO-251AA包装管件其它名称*IRFU214PBF质保说明:1、由于电子元件这种产品的特殊性，如有质量问题买家请从收货时起7天内提出，经我们调解,核对后,方可退货,换货等。2、对于焊过、剪脚、上锡、上机、写入程序、客户操作失误或其它原因人为损坏的电子元件不能退换！！注意事项:1、买家收到货时请认真检查外包装，发现明显损坏迹象,可以拒收。2、买家应在送货人员面前打开包装，核对数量。如有问题，请当场联系撑柜，一旦签收，将视为您对产品外观和数量的认同。
