IR IRF2807PBF 场效应管(MOSFET) IRF2807 进口原装
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格： | IRF2807 IRF2807PBF | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 用途： | MOS-INM/独立组件 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
数据列表 IRF2807PbF
产品相片 TO-220AB PKG
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 13 毫欧 @ 43A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 82A
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 160nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 3820pF @ 25V
功率 - 230W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
其它名称 *IRF2807PBF
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