HC-49/SSMD产品详细参数:
频率范围:4.0 ~ 90 MHz
频率公差(25℃)± 30 ppm, or specify
在工作温度范围内的频率稳定度:± 30 ppm, or specify
工作温度范围:- 20 ~ +70 oC, or specify
并联电容(C0):7 pF Max.
驱动级:1 ~ 500 μW (100 μW typical)
负载电容:Series, 16 pF, 20 pF, 30 pF, 32 pF, or specify
老化(25℃):± 3 ppm / year Max.
储存温度范围:- 40 ~ + 85 oC
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晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振(谐振)的英文名称不同,无源晶振为crystal(晶体),而有源晶振则叫做oscillator(振荡器)。无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号,自身无法振荡起来,所以“无源晶振”这个说法并不准确;有源晶振是一个完整的谐振振荡器。石英晶体振荡器与石英晶体谐振器都是提供稳定电路频率的一种电子器件。石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应来起振,而石英晶体谐振器是利用石英晶体和内置IC共同作用来工作的。振荡器直接应用于电路中,谐振器工作时一般需要提供3.3V电压来维持工作。振荡器比谐振器多了一个重要技术参数:谐振电阻(RR),谐振器没有电阻要求。RR的大小直接影响电路的性能,因此这是各商家竞争的一个重要参数。
HC-49/SSMD产品详细参数: 频率范围:4.0 ~ 90 MHz 频率公差(25℃)± 30 ppm, or specify 在工作温度范围内的频率稳定度:± 30 ppm, or specify 工作温度范围:- 20 ~ +70 oC, or specify 并联电容(C0):7 pF Max. 驱动级:1 ~ 500 μW (100 μW typical) 负载电容:Series, 16 pF, 20 pF, 30 pF, 32 pF, or specify 老化(25℃):± 3 ppm / year Max. 储存温度范围:- 40 ~ + 85 oC 在近几年中,OCXO的技术水平有了很大的提高。日本电波工业公司开发的新器件功耗仅为老产品的1/10。在克服OCXO功耗较大这一缺点方面取得了重大突破。该公司使用应力补偿切割(SCCut)石英晶体振子制作的OCXO,与使用AT切形石英晶体振子的OCXO比较,具有高得多的频率稳定度和非常低的相位噪声。相位噪声是指信号功率与噪声功率的比率(C/N),是表征频率颤抖的技术指标。在对预期信号既定补偿处,以1Hz带宽为单位来测量相位噪声。Bliley公司用AT切形晶体制作的NV45A在补偿点10Hz、100Hz、1kHz和10kHz处的相位噪声分别为100、135、140和145dBc/Hz,而用SC切割晶体制成的同样OCXO,则在所有补偿点上的噪声性能都优于5...
产品详细参数: 频率范围:8.0 ~ 100 MHz 频率公差(25℃)± 10ppm± 30 ppm, or specify 在工作温度范围内的频率稳定度:± 10ppm± 30 ppm, or specify 工作温度范围:- 20 ~ +70 oC, or specify 并联电容(C0):7 pF Max. 驱动级:1~200μW(100μW typical) 负载电容:Series, 9 pF, 12 pF, 15 pF, 20pF, or specify 老化(25℃):± 3 ppm / year Max. 储存温度范围:- 40 ~ + 85 oC 晶振技术术语 标称频率 晶体技术条件中规定的频率,通常标识在产品外壳上。 工作频率 晶体与工作电路共同产生的频率。 调整频差 在规定条件下,基准温度(25±2℃)时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。 温度频差 在规定条件下,在工作温度范围内相对于基准温度(25±2℃)时工作频率的允许偏差。 老化率 在规定条件下,晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。 静电容 等效电路中与串联臂并接的电容,也叫并电容,通常用C0表示。 负载电容 与晶体一...