HC-49S参数详情:
频率:3.000 -100.000MHz
封装:HC-49S DIP
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~70℃ ±20ppm
负载电容:6~50pF
激励功率:10 μW ~ 100 μW
静电容:7.0pF Max
老化率:±5ppm/year(年)
存储温度:-50℃~125℃
特点:高可靠性、高稳定性、封焊紧密。
49S晶体谐振器应用于上网本、笔记本、鼠标、数码摄像头、计算机、监控安防等电子产品。
石英晶体谐振器的主要参数解读:
石英晶体谐振器又称为石英晶体,俗称晶振.是利用石英晶体的压电效应而制成的谐振元件.与半导体器件和阻容元件一起使用,便可构成石英晶体振荡器.
压电效应:
对某些电介质施加机械力而引起它们内部正负电荷中心相对位移,产生极化,从而导致介质两端表面内出现符号相反的束缚电荷.在一定应力范围内,机械力与电荷呈线性可逆关系.这种现象称为压电效应
作用:提供系统振荡脉冲,稳定频率,选择频率.
主要参数:
a.标称频率:在规定条件下,晶振的谐振中心频率.
b.调整频差:在规定条件下,基准温度时的工作频率相对标称频率的偏离值.(ppm)
c.温度频差:在规定条件下,在整个工作温度范围内,相对于基准温度时工作频率的允许偏离值.
d.负载谐振电阻:晶振与指定外部电容相串联,在负载谐振频率时的电阻值.
e.负载电容: 是指与晶振一起决定负载谐振频率的有效外界电容.常用标准值有:12pF 、 16pF 、 20pF 、 30pF.
3225参数: 频率:12.000 MHz ~ 60.000 MHz 封装:3.2×2.5×0.6mmSMD 频率精度:±10ppm~ ±50ppm 温度稳定度:-40℃ to +85℃ ±20ppm 负载电容:6~50pF 激励功率:200 μW Max. 静电容:7.0pF Max 老化率:±0.1ppm/year(年) 存储温度:-40℃ to +125℃ 应用 :移动电话,蓝牙,无线-局域网 ISM 频段电台广播,MPU 时钟等 晶振电路: 在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络,电工学上这个网络有两个谐振点,以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振,较高的频率是并联谐振。由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近,在这个极窄的频率范围内,晶振等效为一个电感,所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路,也就是晶振电路。 晶振电路的作用: 电容大小没有固定值。一般二三十p。晶振是给单片机提供工作信号脉冲的。这个脉冲就是单片机的工作速度。比如 12M晶振。单片机工作速度就是每秒 12M。和电脑的 CPU概念一样。当然。单片机的工作频率是有范围...
柱晶 AT-2*6详情: 频率范围:6.000 -30MHz, 储存温度:- 40℃ to +85℃ 工作温度:- 20℃ to +70℃ 激励功率: 10 μW ~ 100 μW 频率公差(标准) :±30 × 10 - 6 频率温度特征(标准): 低于 5.5 MHz: ±50 × 10- 6 -10℃ to +60℃ 超出 5.5 MHz: ±30 × 10- 6 -20℃ to +70℃ 负载电容:基频: 10 pF ~ ∞.可指定 串联电阻(ESR):-20℃ ~ +70℃, DL=100 μW 频率老化:±5 × 10-6 / year Max. 2*6晶体谐振器特征:频率范围宽、高度防震、体积小、可靠的频率稳定度。 应用于微处理器系统、液晶显示器、数码相框、电子吉他、电子音响、音响功放、电子游戏机、移动储存等. 晶振在应用中的作用: 微控制器的时钟源可以分为两类:基于机械谐振器件的时钟源,如晶振、陶瓷谐振槽路;RC(电阻、电容)振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置,适用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立RC振荡器。 基于晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。RC振荡器能够快速启动,成本也比较低,但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差,会在标称输...