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现货特供超快速恢复整流二极管MUR860/MUR860CT

价 格: 面议
型号/规格:MUR860/MUR860CT
品牌/商标:GOOD-ARK固鍀
封装形式:TO-220
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:散装
功率特性:大功率

 

快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看,可分成单管、对管(亦称双管)两种。对管内部包含两只快恢复二极管,根据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管(单管)的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型(共阴对管)、MUR1680A型(共阳对管)超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装, 几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量(几百安~几千安)的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。

 

苏州固锝电子股份有限公司
公司信息未核实
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现货特供超快速恢复整流二极管MUR860F/MUR860FCT

信息内容:

MUR860F/MUR860FCT。TO-220AC,ITO-220AB 8A600V 35NS 苏州固锝电子已经成为国内半导体分立器件行业的二极管制造商,主要产品包括整流二极管芯片、轴型硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、单列桥堆、表面安装玻封和表面安装塑封二极管、金属玻璃封装大功率整流管等,共有50多个系列、1500多个品种。 在市场拓展方面,固锝电子不断加强与业界巨头合作,开发新的代理加工及OEM业务,同时以过硬的产品质量和服务赢得了客户的信任,树立了良好的市场品牌形象,客户数量保持持续稳步增长。 公司积极引进先进技术和生产流水线,并不断加强与威旭、东芝、索尼、菲利浦、松下等国际知名公司的合作,大大提高了在技术和设备方面的竞争力。公司通过引进美国通用半导体公司等国外知名厂商的大量技术人才,并聘用日本专家作为公司的常年技术顾问,固锝电子已经建立起完善的技术研发体系,拥有片式微型堆、半导体器件及其制造方法、二极管制造方法等多项发明专利及实用新型专利。目前,公司产品质量和工艺技术均已达到国内一流和世界先进水平

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供应肖特基二极管MBR10200FCT MBR10200CT SBL10200CT

信息内容:

肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒,如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属...

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