供应铝电解电容
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 25v47uf 5x11 | |
| 品牌/商标： | SANYO（三洋） | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 包装 | |
| 产品主要用途： | 普通/民用电子信息产品 |
电解电容的主要参数
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1.等效串联
电阻ESRESR的高低，与电容器技术'>电容器的容量、电压、频率及温度…都有关，ESR要求越低越好。当额定电压固定时，容量愈大 ESR愈低。当容量固定时，选用高额定电压的品种可以降低 ESR。低频时ESR高，高频时ESR低，高温也会使ESR上升。等效串联电阻ESR 很多品牌可以从规格说明 书上查到。
2. 漏电流
铝电解电容都存在漏电的情况，这是物理结构所决定的。不用说，漏电流当然是越小越好。电容器容量愈高，漏电流就愈大；降低工作电压可降低漏电流。反过来选用更高耐压的品种也会有助于减小漏电流。结合上面的两个参数，相同条件下优先选取高耐压品种的确是一个简便可行的好方法；降低内阻、降低漏电流、降低损失角、增加寿命。真是好处多多，唯价格上会高一些。有个说法，既电解电容工作在远低于额定工作电压时，由于不能得到有效的足以维持电极跟电解液之间的退极化作用，会导致电解电容的极化而降低涟波电流，增大ESR，从而提早老化。但是这个说法的前提是“远低于额定工作电压”，综合一些长期的实践经验来看，选取额定工作电压标称值的2/3左右为正常工作电压，是比较合理可*的。业余情况下可以对电解电容的漏电流大体上估计一下。把相同容量的电解电容按照额定承受电压进行充电，放置一段时间后再检测电容器两端的电压下降程度。下降电压越少的漏电流就越小。
3.标称参数就是电容器外壳上所列出的数值。
*静电容量，用UF表示。
*工作电压(working voltage)简称WV，应为标称安全值，也就是说应用电路中，不得超过此标称电压。
*温度
常见的大多为85度、105度。高温条件下（例如纯甲类功放）要优选105度标称的。一般情况下优选高温度系数的对于改善其他参数性能也有积极的帮助。
4.散逸因数dissipation factor(DF)
有时DF值也用损失角tan表示。DF值是高还是低，与温度、容量、电压、频率……都有关系；当容量相同时，耐压愈高的DF值就愈低。频率愈高 DF值愈高，温度愈高DF值也愈高。DF 值一般不标注在电容器上或规格介绍上面。在DIY选取电容时，可优先考虑选取更高耐压的，比如工作电压为45V时，选用50V的就不很合理。尽管使用 50V的从承受电压正常工作方 面并无不妥，但从DF值方面考虑就欠缺一些。使用63V或71V耐压的会有更好的表现的。
5. 涟波电流Irac
涟波电流对于石机的滤波电路来说，是一个很重要的参数。涟波电流Irac 是愈高愈好。他的高低与工作频率相关，频率越高Irac越大，频率越低Irac越小。传统的认为我们需要在低频时能够有很高的涟波电流，以求得到良好的大电流放电特性，使的低频更加结实饱满富有弹性，以及良好的控制驱动特性；实际上在高频时高的涟波电流对音色的正面帮助也很大，可以使高频有更好的延伸和减小粗糙感。
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供应铝电解电容
信息内容：电解电容的检测 一 万用表电阻挡的正确选择 因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，1~47uf间的电容，可用r*1k挡测量，大于47uf的电容可以用r*100挡测量。 二 测量漏电阻 将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极。要刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大幅度（对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大），接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。然后，将红黑表笔对调，万用表指针将重复上述摆动现象。但此时所测阻值为电解电容的反向漏电阻，此值略小于正向漏电阻。即反向漏电流比正向漏电流要大。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百k欧姆以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向反向均无充电现象，即指针不动，则说明容量消失或内部短路，如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。
1N5819二极管
信息内容：肖特基二极管优点 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。
