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传感器,线性传感器MMLH45F|隧道磁电阻(TMR)技术

价 格: 面议
型号/规格:MMLH45F
品牌/商标:MDT

  多维科技拥有自主知识产权、团队和核心技术,拥有一整套国际的磁性多层膜镀膜设备,完全有能力帮助客户设计、制造6″/8″晶圆芯片并完成晶圆级测试。该芯片研发与生产平台面向全球客户,为全球客户提供高品质服务。

 

  线性传感器MMLH45F的产品特点:
  ■隧道磁电阻 (TMR) 技术
  ■高灵敏度 12mV/V/Oe
  ■低功耗
  ■超高频率响应 >20 MHz
  ■优越的温度稳定性
  ■极小的磁滞
  ■宽工作电压范围

 

  线性传感器MMLH45F的典型应用
  ■电流传感器
  ■磁强计
  ■地磁传感器
  ■位置传感器

 

  线性传感器的工作原理
  电位器式位移传感器,它通过电位器元件将机械位移转换成与之成线性或任意函数关系的电阻或电压输出。普通直线电位器和圆形电位器都可分别用作直线位移和角位移传感器。但是,为实现测量位移目的而设计的电位器,要求在位移变化和电阻变化之间有一个确定关系。电位器式位移传感器的可动电刷与被测物体相连。物体的位移引起电位器移动端的电阻变化。阻值的变化量反映了位移的量值,阻值的增加还是减小则表明了位移的方向。通常在电位器上通以电源电压,以把电阻变化转换为电压输出。线绕式电位器由于其电刷移动时电阻以匝电阻为阶梯而变化,其输出特性亦呈阶梯形。如果这种位移传感器在伺服系统中用作位移反馈元件,则过大的阶跃电压会引起系统振荡。因此在电位器的制作中应尽量减小每匝的电阻值。电位器式传感器的另一个主要缺点是易磨损。它的优点是:结构简单,输出信号大,使用方便,价格低廉。

江苏多维科技有限公司
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多维科技拥有的磁传感芯片的制造设备,拥有多项自主知识产权和核心技术,并不断地完善和扩展所涉及的核心技术和知识产权。   TMR角度传感器MMA233F的产品特点:   ■ 隧道磁电阻 ( TMR) 技术   ■ 超大输出信号,无需信号放大   ■ 超低功耗   ■ 超高频率响应 >20 MHz   ■ 优越的温度稳定性   ■ 低磁滞   ■ 宽工作电压范围   ■ 工作间隙大   ■ 极小封装尺寸   角度传感器MMA233F的典型应用:   ■ 旋转位置传感器   ■ 旋转编码器   ■ 非接触式电位器   ■ 阀门位置传感器   ■ 旋钮传感器   角度传感器MMA233F的概述   的MMA233F TMR角传感器的输出电压成比例的正弦或余弦的磁场施加角度的传感器的表面平行的,它可以由一个小磁铁定位以上的移动设备。 MMA233F包括两个惠斯通电桥,可以被配置为分别输出正弦和余弦函数。每座桥包括四个TMR传感器元件的一个推挽式的安排,以产生一个的级的峰到峰值信号作为大的电源电压的80%,消除了需要在许多应用中的扩增。此外,独特的TMR惠斯登电桥技术准确补偿的输出对环境温度的变化。这种传感器装配在一个超小型LGA8的包3....

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